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高取向ZnO纳米阵列制备及光电性能研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
目录第7-9页
第一章 绪论第9-20页
    1.1 前言第9页
    1.2 ZnO 的基本性质及应用第9-11页
    1.3 磁控溅射方法制备 ZnO 薄膜的研究现状第11-14页
    1.4 溶液法制备 ZnO 纳米结构的研究现状及存在问题第14-16页
        1.4.1 ZnO 纳米结构的研究第14-15页
        1.4.2 ZnO 中存在的问题第15-16页
    1.5 本征和掺杂 ZnO 纳米材料的研究第16-19页
        1.5.1 n 型 ZnO 纳米材料的研究第16页
        1.5.2 p 型 ZnO 纳米材料的研究第16-17页
        1.5.3 Cu 掺杂 ZnO 纳米材料的研究第17-18页
        1.5.4 其它元素掺杂 ZnO 纳米材料的研究第18-19页
    1.6 本文研究目的与主要研究内容第19-20页
        1.6.1 本文研究目的第19页
        1.6.2 主要研究内容第19-20页
第二章 试验材料、设备及方法第20-26页
    2.1 试验材料第20页
    2.2 试验设备第20-22页
        2.2.1 ZnO 薄膜制备装置第20-21页
        2.2.3 ZnO 纳米材料制备装置第21-22页
    2.3.试验方案第22-24页
        2.3.1 试验参数设计第22-23页
        2.3.2 试验工艺流程本征第23-24页
    2.4 ZnO 材料的测试与表征第24-26页
        2.4.1 材料的形貌分析第24-25页
        2.4.2 材料的结构分析第25页
        2.4.3 材料的性能分析第25-26页
第三章 ZnO 薄膜的制备与性能研究第26-35页
    3.1 引言第26页
    3.2 薄膜衬底的选择与处理第26-27页
    3.3 ZnO 薄膜的制备与表征第27页
    3.4 不同生长条件对 ZnO 薄膜的影响研究第27-33页
        3.4.1 生长时间对 ZnO 薄膜及纳米阵列的影响第27-31页
        3.4.2 生长温度对 ZnO 薄膜及纳米阵列的影响第31-33页
    3.5 本章小结第33-35页
第四章 ZnO 纳米柱阵列的水热法制备与性能研究第35-49页
    4.1 引言第35页
    4.2 ZnO 纳米柱阵列的水热法制备与表征第35页
    4.3 不同生长条件对 ZnO 纳米柱阵列的影响研究第35-43页
        4.3.1 生长时间对 ZnO 纳米柱阵列形貌、结构和性能的影响第36-40页
        4.3.2 生长温度对 ZnO 纳米柱阵列形貌、结构和性能的影响第40-43页
    4.4 退火处理对 ZnO 纳米柱阵列的影响研究第43-47页
    4.5 ZnO 纳米材料的形成机理分析第47-48页
    4.6 本章小结第48-49页
第五章 Zn1-xCuxO 纳米材料的水热法制备与性能研究第49-67页
    5.1 引言第49页
    5.2 Zn1-xCuxO 纳米材料的水热法制备与表征第49-50页
    5.3 Cu 掺杂浓度对 ZnO 纳米材料的形貌、结构和性能的影响研究第50-58页
    5.4 生长时间对 Zn1-xCuxO 纳米材料的影响研究第58-63页
    5.5 退火处理对 Zn1-xCuxO 纳米结构性能的影响研究第63-65页
        5.5.1 退火温度对 Zn1-xCuxO 纳米材料光学性能的影响第63-64页
        5.5.2 退火气氛对 Zn1-xCuxO 纳米材料光学性能的影响第64-65页
    5.6 本章小结第65-67页
结论第67-68页
参考文献第68-74页
致谢第74页

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