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基于SiC MOSFET的移相全桥变换器研究及其可靠性分析

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-17页
    1.1 课题的研究背景和意义第9-10页
    1.2 国内外研究现状第10-15页
        1.2.1 SiC二极管研究发展第11-12页
        1.2.2 SiC MOSFET研究发展第12-13页
        1.2.3 SiC MOSFET驱动研究发展第13-14页
        1.2.4 SiC MOSFET的应用研究发展第14-15页
        1.2.5 可靠性的研究发展第15页
    1.3 本文主要研究内容与章节安排第15-16页
    1.4 本章小结第16-17页
第二章 SiC MOSFET的驱动设计及动态性能测试第17-36页
    2.1 SiC MOSFET的导通和关断过程分析第17-19页
    2.2 SiC MOSFET的驱动电路设计第19-25页
        2.2.1 改进型脉冲变压器驱动第19-21页
        2.2.2 芯片集成型驱动第21-25页
    2.3 SiC MOSFET的动态性能测试第25-35页
        2.3.1 动态性能测试原理第25-27页
        2.3.2 双脉冲测试实验分析第27-35页
    2.4 本章小结第35-36页
第三章 基于SiC MOSFET的移相全桥变换器设计与分析第36-54页
    3.1 移相全桥变换器工作原理第36-44页
        3.1.1 移相全桥变换器的工作模态分析第36-42页
        3.1.2 移相全桥变换器的ZVS条件第42-43页
        3.1.3 移相全桥变换器的占空比丢失第43-44页
    3.2 移相全桥变换器功率电路设计第44-49页
        3.2.1 输入滤波电路的设计第44页
        3.2.2 高频变压器的设计第44-47页
        3.2.3 谐振电感的设计第47页
        3.2.4 隔直电容的选取第47-48页
        3.2.5 副边整流二极管的选取第48页
        3.2.6 输出滤波电感设计第48-49页
        3.2.7 输出滤波电容设计第49页
    3.3 实验结果分析第49-53页
        3.3.1 实验波形第50-51页
        3.3.2 变换器效率分析第51-52页
        3.3.3 Si IGBT与SiC MOSFET对比分析第52-53页
    3.4 本章小结第53-54页
第四章 移相全桥变换器的可靠性分析第54-65页
    4.1 变换器可靠性分析及费用建模方法第54-55页
    4.2 移相全桥单机变换器建模第55-60页
        4.2.1 网络中心性理论第55-56页
        4.2.2 重要度评估模型第56-57页
        4.2.3 移相全桥变换器元件的重要度评估和失效率分配第57-60页
    4.3 并联移相全桥变换器系统的可靠性分析第60-64页
    4.4 本章小结第64-65页
结论与展望第65-67页
    1. 所做的工作第65-66页
    2. 进一步的工作设想第66-67页
参考文献第67-71页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第71-72页
致谢第72-73页
附件第73页

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