摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第9-17页 |
1.1 课题的研究背景和意义 | 第9-10页 |
1.2 国内外研究现状 | 第10-15页 |
1.2.1 SiC二极管研究发展 | 第11-12页 |
1.2.2 SiC MOSFET研究发展 | 第12-13页 |
1.2.3 SiC MOSFET驱动研究发展 | 第13-14页 |
1.2.4 SiC MOSFET的应用研究发展 | 第14-15页 |
1.2.5 可靠性的研究发展 | 第15页 |
1.3 本文主要研究内容与章节安排 | 第15-16页 |
1.4 本章小结 | 第16-17页 |
第二章 SiC MOSFET的驱动设计及动态性能测试 | 第17-36页 |
2.1 SiC MOSFET的导通和关断过程分析 | 第17-19页 |
2.2 SiC MOSFET的驱动电路设计 | 第19-25页 |
2.2.1 改进型脉冲变压器驱动 | 第19-21页 |
2.2.2 芯片集成型驱动 | 第21-25页 |
2.3 SiC MOSFET的动态性能测试 | 第25-35页 |
2.3.1 动态性能测试原理 | 第25-27页 |
2.3.2 双脉冲测试实验分析 | 第27-35页 |
2.4 本章小结 | 第35-36页 |
第三章 基于SiC MOSFET的移相全桥变换器设计与分析 | 第36-54页 |
3.1 移相全桥变换器工作原理 | 第36-44页 |
3.1.1 移相全桥变换器的工作模态分析 | 第36-42页 |
3.1.2 移相全桥变换器的ZVS条件 | 第42-43页 |
3.1.3 移相全桥变换器的占空比丢失 | 第43-44页 |
3.2 移相全桥变换器功率电路设计 | 第44-49页 |
3.2.1 输入滤波电路的设计 | 第44页 |
3.2.2 高频变压器的设计 | 第44-47页 |
3.2.3 谐振电感的设计 | 第47页 |
3.2.4 隔直电容的选取 | 第47-48页 |
3.2.5 副边整流二极管的选取 | 第48页 |
3.2.6 输出滤波电感设计 | 第48-49页 |
3.2.7 输出滤波电容设计 | 第49页 |
3.3 实验结果分析 | 第49-53页 |
3.3.1 实验波形 | 第50-51页 |
3.3.2 变换器效率分析 | 第51-52页 |
3.3.3 Si IGBT与SiC MOSFET对比分析 | 第52-53页 |
3.4 本章小结 | 第53-54页 |
第四章 移相全桥变换器的可靠性分析 | 第54-65页 |
4.1 变换器可靠性分析及费用建模方法 | 第54-55页 |
4.2 移相全桥单机变换器建模 | 第55-60页 |
4.2.1 网络中心性理论 | 第55-56页 |
4.2.2 重要度评估模型 | 第56-57页 |
4.2.3 移相全桥变换器元件的重要度评估和失效率分配 | 第57-60页 |
4.3 并联移相全桥变换器系统的可靠性分析 | 第60-64页 |
4.4 本章小结 | 第64-65页 |
结论与展望 | 第65-67页 |
1. 所做的工作 | 第65-66页 |
2. 进一步的工作设想 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-71页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第71-72页 |
致谢 | 第72-73页 |
附件 | 第73页 |