2GHz硅基E类射频功率放大器设计
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-12页 |
1.1 研究背景 | 第8页 |
1.2 国内外研究现状 | 第8-9页 |
1.3 研究内容和设计指标 | 第9-11页 |
1.3.1 研究内容 | 第9-10页 |
1.3.2 电路结构与所用工艺选择 | 第10页 |
1.3.3 设计指标 | 第10-11页 |
1.4 论文组织结构 | 第11-12页 |
第2章 功率放大器设计的理论基础 | 第12-26页 |
2.1 功率放大器的工作原理 | 第12-13页 |
2.2 功率放大器的性能指标 | 第13-15页 |
2.2.1 输出功率和功率增益 | 第13页 |
2.2.2 工作效率 | 第13-14页 |
2.2.3 线性度 | 第14-15页 |
2.3 功率放大器的分类 | 第15-24页 |
2.3.1 电流源型功率放大器 | 第15-18页 |
2.3.2 开关类功率放大器 | 第18-24页 |
2.4 采用硅基工艺的功率放大器设计要点 | 第24-25页 |
2.4.1 耐压问题 | 第24页 |
2.4.2 衬底问题 | 第24-25页 |
2.4.3 晶体管模型问题 | 第25页 |
2.4.4 阻抗匹配问题 | 第25页 |
2.5 本章小结 | 第25-26页 |
第3章 E类功率放大器结构分析 | 第26-36页 |
3.1 E类功率放大器的原理分析 | 第26-31页 |
3.2 使用直流偏置电感的E类功率放大器 | 第31-33页 |
3.3 E类放大器的损耗分析 | 第33-35页 |
3.4 本章小结 | 第35-36页 |
第4章 2GHz的E类功率放大器设计 | 第36-56页 |
4.1 E类功率放大器结构设计 | 第36-39页 |
4.1.1 单端和差分的选择 | 第36-38页 |
4.1.2 多级级联设计 | 第38页 |
4.1.3 功率放大器结构设计小结 | 第38-39页 |
4.2 E类功率放大器的设计 | 第39-54页 |
4.2.1 驱动放大级设计 | 第39-42页 |
4.2.2 负载网络的设计 | 第42-46页 |
4.2.3 输出放大级设计 | 第46-48页 |
4.2.4 LC巴伦设计 | 第48-49页 |
4.2.5 偏置电路设计 | 第49-50页 |
4.2.6 电路性能前仿真 | 第50-54页 |
4.3 本章小结 | 第54-56页 |
第5章 功率放大器版图设计和后仿真 | 第56-68页 |
5.1 版图设计方法和要点 | 第56-58页 |
5.1.1 版图的匹配和对称性 | 第56页 |
5.1.2 导线电流密度 | 第56-57页 |
5.1.3 天线效应 | 第57页 |
5.1.4 闩锁效应 | 第57页 |
5.1.5 减少版图寄生参数的方法 | 第57-58页 |
5.2 无源射频元件的选择 | 第58-60页 |
5.2.1 电容的选择 | 第58-59页 |
5.2.2 电感的选择 | 第59-60页 |
5.3 功率放大器版图 | 第60-62页 |
5.4 功率放大器的后仿真 | 第62-65页 |
5.4.1 功率放大器瞬态后仿真 | 第62页 |
5.4.2 功率放大器S参数后仿真 | 第62-63页 |
5.4.3 功率放大器输出功率和效率后仿真 | 第63-64页 |
5.4.4 功率放大器的后仿真结果分析 | 第64-65页 |
5.5 功率放大器测试方案 | 第65-66页 |
5.6 本章小结 | 第66-68页 |
第6章 结论和展望 | 第68-70页 |
6.1 总结 | 第68页 |
6.2 展望 | 第68-70页 |
参考文献 | 第70-72页 |
硕士期间已发表文章 | 第72-74页 |
致谢 | 第74页 |