| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 SiC BJT的发展概况 | 第12-14页 |
| 1.3 SiC BJT的优势和面临的挑战 | 第14-15页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 4H-SiC BJT刻蚀工艺研究 | 第16-39页 |
| 2.1 刻蚀的基本知识 | 第16-20页 |
| 2.2 湿法腐蚀 | 第20-21页 |
| 2.2.1 二氧化硅的湿法腐蚀 | 第20页 |
| 2.2.2 碳化硅的湿法腐蚀 | 第20-21页 |
| 2.3 干法刻蚀 | 第21-28页 |
| 2.3.1 碳化硅的等离子体刻蚀工艺 | 第21-23页 |
| 2.3.2 反应离子刻蚀和电感耦合等离子体刻蚀 | 第23页 |
| 2.3.3 4H-SiC ICP刻蚀工艺的实验研究 | 第23-28页 |
| 2.4 4H-SiC BJT ICP刻蚀工艺的实验研究 | 第28-38页 |
| 2.4.1 发射极台面刻蚀 | 第29-34页 |
| 2.4.2 基极台面刻蚀 | 第34-36页 |
| 2.4.3 台面终端刻蚀 | 第36-38页 |
| 2.5 本章总结 | 第38-39页 |
| 第三章 4H-SiC BJT欧姆接触工艺研究 | 第39-63页 |
| 3.1 SiC欧姆接触的工艺过程 | 第39-42页 |
| 3.2 SiC欧姆接触的材料表征 | 第42-43页 |
| 3.3 SiC欧姆接触的电学描述 | 第43-44页 |
| 3.4 比接触电阻的测试结构 | 第44-46页 |
| 3.5 SiC欧姆接触的实验研究 | 第46-53页 |
| 3.5.1 N型 4H-SiC欧姆接触 | 第46-50页 |
| 3.5.2 P型 4H-SiC欧姆接触 | 第50-53页 |
| 3.6 4H-SiC BJT欧姆接触的实验研究 | 第53-62页 |
| 3.6.1 金属剥离工艺开发 | 第53-57页 |
| 3.6.2 BJT发射极欧姆接触 | 第57-60页 |
| 3.6.3 BJT基极欧姆接触 | 第60-62页 |
| 3.7 本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 4H-SiC BJT工作机理与器件研制 | 第63-75页 |
| 4.1 BJT的工作机理 | 第63-66页 |
| 4.2 4H-SiC BJT器件版图设计 | 第66-70页 |
| 4.3 4H-SiC BJT流片和测试 | 第70-74页 |
| 4.3.1 4H-SiC BJT流片的工艺过程 | 第70-72页 |
| 4.3.2 4H-SiC BJT测试与分析 | 第72-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 结论 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第83-84页 |