| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 GaN基材料的特性及其器件的研究意义 | 第9-11页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMT国内外研究进展 | 第11-13页 |
| 1.3 AlGaN/GaN HEMT未来发展所面临的挑战 | 第13-16页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第16-19页 |
| 第2章 AlGaN/GaN HEMT材料性质及工作原理 | 第19-29页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结极化效应 | 第19-21页 |
| 2.1.1 压电极化 | 第19-20页 |
| 2.1.2 自发极化 | 第20-21页 |
| 2.1.3 异质结二维电子气浓度 | 第21页 |
| 2.2 材料外延生长 | 第21-23页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT工作原理 | 第23-25页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMT的性能优化 | 第25-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 AlGaN/GaN HEMT工艺制备 | 第29-41页 |
| 3.1 外延片分析及版图设计 | 第29-32页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMT器件工艺介绍 | 第32-38页 |
| 3.2.1 外延片清洗 | 第32页 |
| 3.2.2 光刻 | 第32-33页 |
| 3.2.3 有源区隔离 | 第33-35页 |
| 3.2.4 保护台面及腐蚀出有源区 | 第35-36页 |
| 3.2.5 欧姆电极制备 | 第36-37页 |
| 3.2.6 栅电极制备 | 第37-38页 |
| 3.3 器件性能测试与分析 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 AlGaN/GaN HEMT欧姆接触特性的研究 | 第41-51页 |
| 4.1 欧姆接触模式的介绍 | 第41页 |
| 4.2 实验步骤及结果分析 | 第41-46页 |
| 4.2.1 欧姆接触模式和退火温度的关系 | 第42-43页 |
| 4.2.2 欧姆接触模式和退火时间的关系 | 第43-45页 |
| 4.2.3 不同大小源漏纵向接触孔对欧姆接触特性的影响 | 第45-46页 |
| 4.3 欧姆接触模式的性能优化 | 第46-48页 |
| 4.4 欧姆接触模式对HEMT性能的影响 | 第48-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第59-61页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
