| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 太赫兹简介 | 第10-11页 |
| 1.2 太赫兹超材料简介 | 第11-15页 |
| 1.2.1 太赫兹超材料功能器件的分类 | 第11-14页 |
| 1.2.2 太赫兹超材料的发展与实现商品化遇到的挑战 | 第14-15页 |
| 1.3 石墨烯简介 | 第15-20页 |
| 1.3.1 石墨烯的发现 | 第15-16页 |
| 1.3.2 石墨烯的性质 | 第16页 |
| 1.3.3 石墨烯的制备 | 第16-18页 |
| 1.3.4 石墨烯的应用 | 第18-19页 |
| 1.3.5 石墨烯的发展现状 | 第19-20页 |
| 1.4 总结 | 第20-21页 |
| 第二章 石墨烯的制备与检测 | 第21-28页 |
| 2.1 石墨烯样品的制备过程 | 第21-23页 |
| 2.1.1 CVD石墨烯的生长 | 第21页 |
| 2.1.2 石墨烯的转移 | 第21-23页 |
| 2.2 石墨烯的表征 | 第23-25页 |
| 2.3 不同层数石墨烯的区别 | 第25-27页 |
| 2.4 总结 | 第27-28页 |
| 第三章 实验系统、石墨烯数据提取及软件模拟佐证方案 | 第28-37页 |
| 3.1 THz-TDS系统简介 | 第28-30页 |
| 3.2 石墨烯薄膜近似理论 | 第30-32页 |
| 3.3 石墨烯的电导率与介电常数 | 第32-35页 |
| 3.3.1 Kubo模型 | 第32-33页 |
| 3.3.2 Drude模型 | 第33页 |
| 3.3.3 石墨烯电导率和介电常数讨论 | 第33-35页 |
| 3.4 CST软件模拟佐证方案 | 第35-36页 |
| 3.5 总结 | 第36-37页 |
| 第四章 太赫兹被动式可调带阻滤波器 | 第37-51页 |
| 4.1 太赫兹滤波器简介 | 第37-39页 |
| 4.2 样品设计与制备 | 第39-40页 |
| 4.3 实验结果 | 第40-41页 |
| 4.4 CST模拟结果 | 第41-42页 |
| 4.5 LMC等效电路模型分析 | 第42-49页 |
| 4.6 优势与面临的挑战 | 第49-50页 |
| 4.7 总结 | 第50-51页 |
| 第五章 基于超材料和石墨烯的被动式太赫兹调制器 | 第51-60页 |
| 5.1 研究背景 | 第51-52页 |
| 5.2 样品设计和制备 | 第52-53页 |
| 5.3 样品测量与结果 | 第53-55页 |
| 5.4 理论计算和数值模拟 | 第55-58页 |
| 5.5 不同频率处的透过变化 | 第58-59页 |
| 5.6 总结 | 第59-60页 |
| 第六章 基于硅和石墨烯的主动式太赫兹调制器 | 第60-77页 |
| 6.1 研究背景 | 第60-63页 |
| 6.2 样品制备及测试方法 | 第63-65页 |
| 6.3 实验结果及参数提取 | 第65-71页 |
| 6.3.1 实验结果 | 第65-67页 |
| 6.3.2 石墨烯的电导率及介电常数的提取 | 第67-71页 |
| 6.4 CST模拟佐证及分析 | 第71-74页 |
| 6.5 基于单层石墨烯和两层石墨烯的太赫兹调制器区别 | 第74-75页 |
| 6.6 调制速度 | 第75-76页 |
| 6.7 总结 | 第76-77页 |
| 第七章 基于超材料和石墨烯的主动式太赫兹调制器 | 第77-94页 |
| 7.1 研究背景 | 第77-80页 |
| 7.2 样品制备及测试 | 第80-85页 |
| 7.3 结果分析 | 第85-88页 |
| 7.4 不同光泵对器件的影响 | 第88-90页 |
| 7.5 石墨烯超材料互补结构的设计和测试 | 第90-91页 |
| 7.6 石墨烯超材料的调制速度 | 第91-93页 |
| 7.7 总结 | 第93-94页 |
| 第八章 总结和展望 | 第94-96页 |
| 8.1 总结 | 第94-95页 |
| 8.2 展望 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-105页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
