| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第11-28页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 Al-Zn-Mg-Cu系高强铝合金的发展概况 | 第12-15页 |
| 1.2.1 国外Al-Zn-Mg-Cu系高强铝合金的发展 | 第12-13页 |
| 1.2.2 国内Al-Zn-Mg-Cu系高强铝合金的发展 | 第13页 |
| 1.2.3 Al-Zn-Mg-Cu系高强铝合金的主要合金元素 | 第13-14页 |
| 1.2.4 Al-Zn-Mg-Cu系高强铝合金的析出相及析出序列 | 第14-15页 |
| 1.3 磁场对材料性能的影响 | 第15-21页 |
| 1.3.1 磁场对材料影响概述 | 第15-17页 |
| 1.3.2 磁场条件下的位错退钉扎 | 第17-18页 |
| 1.3.3 磁场条件下的位错滑移 | 第18-20页 |
| 1.3.4 位错退钉扎的自旋相关理论 | 第20-21页 |
| 1.4 第一性原理方法概述 | 第21-27页 |
| 1.4.1 第一性原理 | 第21-22页 |
| 1.4.2 密度泛函理论 | 第22-24页 |
| 1.4.3 赝势方法 | 第24-26页 |
| 1.4.4 CASTEP软件介绍 | 第26-27页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第27-28页 |
| 第二章 计算模型与方法 | 第28-36页 |
| 2.1 铝晶体及位错模型构建 | 第28-30页 |
| 2.2 含MgZn_2相铝晶体及位错模型构建 | 第30页 |
| 2.3 计算方法简介 | 第30-31页 |
| 2.4 铝晶体层错能计算 | 第31-34页 |
| 2.4.1 铝晶体层错模型构建及层错能计算原理 | 第32-33页 |
| 2.4.2 抽出型层错模型层错能计算 | 第33-34页 |
| 2.4.3 插入型层错模型层错能计算 | 第34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 铝晶体和位错芯区电子结构及磁场作用研究 | 第36-48页 |
| 3.1 无缺陷铝晶体与含位错铝晶体的能带结构与态密度分析 | 第37-38页 |
| 3.2 含位错铝晶体内位错芯区周边原子态密度分析 | 第38-40页 |
| 3.3 无缺陷铝晶体与含位错铝晶体的电子密度分析 | 第40-41页 |
| 3.4 含位错铝晶体内位错芯区周边原子布居分布分析 | 第41-43页 |
| 3.5 无缺陷铝晶体与含位错铝晶体的电子自旋极化态密度分析 | 第43-47页 |
| 3.5.1 无缺陷铝晶体的电子自旋极化态密度分析 | 第43-45页 |
| 3.5.2 含位错铝晶体的电子自旋极化态密度分析 | 第45-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 含MgZn_2相和位错的铝晶体超晶胞的电子结构及磁场作用研究 | 第48-65页 |
| 4.1 含MgZn_2相和位错的铝晶体超晶胞的电子结构研究 | 第48-58页 |
| 4.1.1 能带结构及态密度研究 | 第48-50页 |
| 4.1.2 p(MgZn_2)晶胞内Mg Zn_2和周边铝原子的电子结构及成键方式 | 第50-54页 |
| 4.1.3 d(MgZn_2)晶胞内Mg Zn_2和周边铝原子的电子结构及成键方式 | 第54-58页 |
| 4.2 含MgZn_2相铝晶体和含MgZn_2相及位错超晶胞的电子自旋极化研究 | 第58-63页 |
| 4.2.1 p(MgZn_2)晶胞中原子的电子自旋极化研究 | 第58-59页 |
| 4.2.2 p(MgZn_2)晶胞中自旋极化电子对原子间成键的影响 | 第59-60页 |
| 4.2.3 d(MgZn_2)晶胞中原子的电子自旋极化研究 | 第60-62页 |
| 4.2.4 d(MgZn_2)晶胞中自旋极化电子对原子间成键的影响 | 第62-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 全文总结及未来展望 | 第65-67页 |
| 5.1 全文总结 | 第65-66页 |
| 5.2 未来展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第74页 |
