| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第9页 |
| 1.2 NiO的基本性质 | 第9-12页 |
| 1.2.1 NiO的结构性质 | 第10页 |
| 1.2.2 NiO的光电性质 | 第10-12页 |
| 1.2.3 NiO的光敏性质 | 第12页 |
| 1.2.4 NiO的气敏性质 | 第12页 |
| 1.3 NiO薄膜的应用 | 第12-14页 |
| 1.3.1 催化剂 | 第12-13页 |
| 1.3.2 电容器电容 | 第13页 |
| 1.3.3 光吸收材料 | 第13-14页 |
| 1.4 本文课题的主要研究内容 | 第14-15页 |
| 2 NiO薄膜的制备方法以及测试表征方法 | 第15-21页 |
| 2.1 NiO薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积法(PLD) | 第15-16页 |
| 2.1.2 溶胶-凝胶法 | 第16页 |
| 2.1.3 磁控溅射法 | 第16-17页 |
| 2.2 NiO薄膜的测试表征方法 | 第17-21页 |
| 2.2.1 表面轮廓仪 | 第17-18页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪(XRD) | 第18-19页 |
| 2.2.3 紫外-可见分光光度计(UV) | 第19-20页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第20-21页 |
| 3 实验设备与工艺 | 第21-25页 |
| 3.1 JGP-450A型高真空三靶磁控溅射系统 | 第21-22页 |
| 3.2 NiO薄膜的制备工艺 | 第22-25页 |
| 3.2.1 NiO的工艺介绍 | 第22-23页 |
| 3.2.2 衬底的选择及预处理 | 第23页 |
| 3.2.3 NiO薄膜的制备流程 | 第23-25页 |
| 4 制备工艺对NiO薄膜性能的影响 | 第25-41页 |
| 4.1 沉积气压对NiO薄膜性能的影响 | 第25-30页 |
| 4.1.1 沉积气压对NiO薄膜沉积速率的影响 | 第25-26页 |
| 4.1.2 沉积气压对NiO薄膜结构的影响 | 第26-27页 |
| 4.1.3 沉积气压对NiO薄膜光学透过率的影响 | 第27-28页 |
| 4.1.4 沉积气压对NiO薄膜光学带隙的影响 | 第28-29页 |
| 4.1.5 沉积气压对NiO薄膜成分组成的影响 | 第29-30页 |
| 4.2 O_2/Ar对NiO薄膜性能的影响 | 第30-34页 |
| 4.2.1 O_2/Ar对NiO薄膜沉积速率的影响 | 第30-31页 |
| 4.2.2 O_2/Ar对NiO薄膜结构的影响 | 第31-32页 |
| 4.2.3 O_2/Ar对NiO薄膜光学透过率的影响 | 第32-33页 |
| 4.2.4 O_2/Ar对NiO薄膜光学带隙的影响 | 第33-34页 |
| 4.2.5 O_2/Ar对NiO薄膜成分组成的影响 | 第34页 |
| 4.3 溅射功率对NiO薄膜性能的影响 | 第34-39页 |
| 4.3.1 溅射功率对NiO薄膜沉积速率的影响 | 第35页 |
| 4.3.2 溅射功率对NiO薄膜结构的影响 | 第35-36页 |
| 4.3.3 溅射功率对NiO薄膜光学透过率的影响 | 第36-37页 |
| 4.3.4 溅射功率对NiO薄膜光学带隙的影响 | 第37-38页 |
| 4.3.5 溅射功率对NiO薄膜成分组成的影响 | 第38页 |
| 4.3.6 溅射功率对NiO薄膜电学性能的影响 | 第38-39页 |
| 4.4 本章小节 | 第39-41页 |
| 5 NiO薄膜上外延生长GaN薄膜 | 第41-50页 |
| 5.1 GaN薄膜的实验方法 | 第41-43页 |
| 5.2 实验结果及分析 | 第43-48页 |
| 5.2.1 结晶质量分析 | 第43-45页 |
| 5.2.2 表面形貌分析 | 第45-47页 |
| 5.2.3 光学性能分析 | 第47-48页 |
| 5.2.4 电学性能分析 | 第48页 |
| 5.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
