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含忆阻功能与记忆电路特性研究

摘要第4-5页
abstract第5页
第一章 绪论第7-19页
    1.1 研究背景第7-8页
    1.2 忆阻定义与基本特征第8-13页
    1.3 忆阻模型及其应用电路第13-16页
    1.4 记忆元件与记忆系统第16-18页
    1.5 本论文主要研究内容第18-19页
第二章 忆阻及其模拟器基本特性第19-29页
    2.1 忆阻器基本特性分析第19-22页
    2.2 软件简介第22-24页
    2.3 忆阻模拟电路及其基本特性第24-28页
        2.3.1 增加型忆阻模拟器第25-26页
        2.3.2 降低型忆阻模拟器第26-28页
    2.4 本章小结第28-29页
第三章 含忆阻模拟电路特性第29-40页
    3.1 MLC串并联电路特性第29-32页
        3.1.1 MLC串联电路特性第29-31页
        3.1.2 MLC并联电路特性第31-32页
    3.2 文氏振荡电路第32-34页
    3.3 含忆阻模拟器的文氏振荡电路第34-38页
        3.3.1 含增加型忆阻模拟器的文氏振荡电路第35-37页
        3.3.2 含降低型忆阻模拟器的文氏振荡电路第37-38页
    3.4 本章小结第38-40页
第四章 忆阻器在神经网络中的应用第40-61页
    4.1 H-H神经元模型第40-42页
    4.2 K离子与Na离子通道忆阻模型第42-50页
        4.2.1 K离子通道忆阻模型第43-48页
        4.2.2 Na离子通道忆阻模型第48-50页
    4.3 基于忆阻器的H-H模型对不同激励信号的响应第50-59页
        4.3.1 基于忆阻器的H-H模型对正弦激励信号的响应第50-56页
        4.3.2 基于忆阻器的H-H模型对方波激励信号的响应第56-58页
        4.3.3 基于忆阻器的H-H模型对脉冲激励信号的响应第58-59页
    4.4 本章小结第59-61页
第五章 总结与展望第61-62页
参考文献第62-65页
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文第65-66页
附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目第66-67页
致谢第67页

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