| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第7-8页 |
| 1.2 忆阻定义与基本特征 | 第8-13页 |
| 1.3 忆阻模型及其应用电路 | 第13-16页 |
| 1.4 记忆元件与记忆系统 | 第16-18页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 忆阻及其模拟器基本特性 | 第19-29页 |
| 2.1 忆阻器基本特性分析 | 第19-22页 |
| 2.2 软件简介 | 第22-24页 |
| 2.3 忆阻模拟电路及其基本特性 | 第24-28页 |
| 2.3.1 增加型忆阻模拟器 | 第25-26页 |
| 2.3.2 降低型忆阻模拟器 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 含忆阻模拟电路特性 | 第29-40页 |
| 3.1 MLC串并联电路特性 | 第29-32页 |
| 3.1.1 MLC串联电路特性 | 第29-31页 |
| 3.1.2 MLC并联电路特性 | 第31-32页 |
| 3.2 文氏振荡电路 | 第32-34页 |
| 3.3 含忆阻模拟器的文氏振荡电路 | 第34-38页 |
| 3.3.1 含增加型忆阻模拟器的文氏振荡电路 | 第35-37页 |
| 3.3.2 含降低型忆阻模拟器的文氏振荡电路 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 忆阻器在神经网络中的应用 | 第40-61页 |
| 4.1 H-H神经元模型 | 第40-42页 |
| 4.2 K离子与Na离子通道忆阻模型 | 第42-50页 |
| 4.2.1 K离子通道忆阻模型 | 第43-48页 |
| 4.2.2 Na离子通道忆阻模型 | 第48-50页 |
| 4.3 基于忆阻器的H-H模型对不同激励信号的响应 | 第50-59页 |
| 4.3.1 基于忆阻器的H-H模型对正弦激励信号的响应 | 第50-56页 |
| 4.3.2 基于忆阻器的H-H模型对方波激励信号的响应 | 第56-58页 |
| 4.3.3 基于忆阻器的H-H模型对脉冲激励信号的响应 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第65-66页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
