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基于波导耦合反应腔串联的线形微波等离子体源的研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第11-31页
    1.1 常见等离子体源的介绍第11-13页
        1.1.1 微波等离子体源第11-12页
        1.1.2 射频等离子体源第12页
        1.1.3 直流等离子体源第12-13页
    1.2 线形等离子体源分类第13-23页
        1.2.1 无磁场束缚/增强型线形等离子体源第14-18页
        1.2.2 磁场约束/增强型线形等离子体源第18-23页
    1.3 线形等离子体源的应用第23-28页
        1.3.1 线形同轴耦合式微波等离子体沉积薄膜第24-26页
        1.3.2 线形同轴耦合式微波等离子体刻蚀第26-27页
        1.3.3 线形同轴耦合式微波在等离子体处理方面应用第27-28页
    1.4 本研究工作的意义与目的第28-31页
第2章 线形等离子体CVD装置的设计第31-43页
    2.1 装置整体的设计介绍第31-32页
    2.2 真空系统的设计第32-33页
    2.3 反应腔室设计第33-35页
    2.4 微波系统设计第35-38页
    2.5 保护系统第38-39页
    2.6 装置的整体组装第39-40页
    2.7 本章小结第40-43页
第3章 线形微波等离子体源的优化第43-59页
    3.1 引言第43页
    3.2 线形微波等离子体源的模拟第43-48页
        3.2.1 波导间不锈钢腔体长度对电场分布的影响第44-46页
        3.2.2 线形等离子体源内部结构对电场分布的影响第46-48页
    3.3 线形等离子体源的均匀性分析第48-56页
        3.3.1 CH_4/H_2混合气体等离子体发射光谱诊断第48-51页
        3.3.2 引导天线外径尺寸对等离子体均匀性影响第51-53页
        3.3.3 模拟匹配棒位置对等离子体均匀性影响第53-56页
    3.4 引导天线长度和工作气压对等离子体长度的影响第56-58页
    3.5 本章小结第58-59页
第4章 线形微波等离子体在杆状样品表面沉积金刚石薄膜的实验第59-75页
    4.1 引言第59-61页
    4.2 表面预处理对杆状氧化铍表面金刚石膜附着力的影响第61-63页
    4.3 实验参数对杆状氧化铍表面金刚石膜的影响第63-67页
        4.3.1 基底温度对氧化铍表面金刚石膜的影响第63-65页
        4.3.2 碳源浓度对氧化铍表面金刚石膜的影响第65-67页
    4.4 氧化铍表面高质量金刚石膜的生长工艺第67-73页
    4.5 本章小结第73-75页
第5章 论文总结与展望第75-77页
    5.1 论文总结第75-76页
    5.2 展望第76-77页
参考文献第77-83页
攻读硕士期间已发表的论文第83-85页
致谢第85页

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