摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第11-31页 |
1.1 常见等离子体源的介绍 | 第11-13页 |
1.1.1 微波等离子体源 | 第11-12页 |
1.1.2 射频等离子体源 | 第12页 |
1.1.3 直流等离子体源 | 第12-13页 |
1.2 线形等离子体源分类 | 第13-23页 |
1.2.1 无磁场束缚/增强型线形等离子体源 | 第14-18页 |
1.2.2 磁场约束/增强型线形等离子体源 | 第18-23页 |
1.3 线形等离子体源的应用 | 第23-28页 |
1.3.1 线形同轴耦合式微波等离子体沉积薄膜 | 第24-26页 |
1.3.2 线形同轴耦合式微波等离子体刻蚀 | 第26-27页 |
1.3.3 线形同轴耦合式微波在等离子体处理方面应用 | 第27-28页 |
1.4 本研究工作的意义与目的 | 第28-31页 |
第2章 线形等离子体CVD装置的设计 | 第31-43页 |
2.1 装置整体的设计介绍 | 第31-32页 |
2.2 真空系统的设计 | 第32-33页 |
2.3 反应腔室设计 | 第33-35页 |
2.4 微波系统设计 | 第35-38页 |
2.5 保护系统 | 第38-39页 |
2.6 装置的整体组装 | 第39-40页 |
2.7 本章小结 | 第40-43页 |
第3章 线形微波等离子体源的优化 | 第43-59页 |
3.1 引言 | 第43页 |
3.2 线形微波等离子体源的模拟 | 第43-48页 |
3.2.1 波导间不锈钢腔体长度对电场分布的影响 | 第44-46页 |
3.2.2 线形等离子体源内部结构对电场分布的影响 | 第46-48页 |
3.3 线形等离子体源的均匀性分析 | 第48-56页 |
3.3.1 CH_4/H_2混合气体等离子体发射光谱诊断 | 第48-51页 |
3.3.2 引导天线外径尺寸对等离子体均匀性影响 | 第51-53页 |
3.3.3 模拟匹配棒位置对等离子体均匀性影响 | 第53-56页 |
3.4 引导天线长度和工作气压对等离子体长度的影响 | 第56-58页 |
3.5 本章小结 | 第58-59页 |
第4章 线形微波等离子体在杆状样品表面沉积金刚石薄膜的实验 | 第59-75页 |
4.1 引言 | 第59-61页 |
4.2 表面预处理对杆状氧化铍表面金刚石膜附着力的影响 | 第61-63页 |
4.3 实验参数对杆状氧化铍表面金刚石膜的影响 | 第63-67页 |
4.3.1 基底温度对氧化铍表面金刚石膜的影响 | 第63-65页 |
4.3.2 碳源浓度对氧化铍表面金刚石膜的影响 | 第65-67页 |
4.4 氧化铍表面高质量金刚石膜的生长工艺 | 第67-73页 |
4.5 本章小结 | 第73-75页 |
第5章 论文总结与展望 | 第75-77页 |
5.1 论文总结 | 第75-76页 |
5.2 展望 | 第76-77页 |
参考文献 | 第77-83页 |
攻读硕士期间已发表的论文 | 第83-85页 |
致谢 | 第85页 |