XAFS应用于半导体材料研究及分析方法创新
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 同步辐射发展历史 | 第13-14页 |
| 1.3 XAFS分析半导体材料结构原理 | 第14-16页 |
| 1.4 XAFS实验技术 | 第16-20页 |
| 1.4.1 实验设施 | 第16-18页 |
| 1.4.2 实验操作流程 | 第18-20页 |
| 1.5 传统方法数据处理步骤 | 第20-27页 |
| 1.5.1 消除噪音 | 第21页 |
| 1.5.2 背景扣除 | 第21-22页 |
| 1.5.3 数据归一化 | 第22-23页 |
| 1.5.4 k空间转换及加权 | 第23-24页 |
| 1.5.5 傅里叶变换到R空间 | 第24-25页 |
| 1.5.6 曲线拟合[21] | 第25-27页 |
| 1.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 第二章 XAFS应用于半导体材料 | 第28-40页 |
| 2.1 XAFS分析6H-SiC材料的微观结构 | 第28-33页 |
| 2.2 XAFS分析AlGaN材料结构 | 第33-39页 |
| 2.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 提出新方法 | 第40-53页 |
| 3.1 传统方法存在的问题 | 第40-43页 |
| 3.2 新方法的基本思想 | 第43-45页 |
| 3.3 新方法的具体流程 | 第45-52页 |
| 3.3.1 方法验证 | 第45-47页 |
| 3.3.2 新方法的步骤 | 第47-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 附录1 | 第62-63页 |
| 附录2 | 第63-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第70页 |
