| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第10页 |
| 1.2 电子晶体学基础理论 | 第10-12页 |
| 1.2.1 电子晶体学的发展历程 | 第10-12页 |
| 1.2.2 晶体内静电势、原子散射因子与晶体结构因子的相互关系 | 第12页 |
| 1.3 电子衍射基础理论 | 第12-15页 |
| 1.3.1 电子衍射运动学理论 | 第12-13页 |
| 1.3.2 电子衍射动力学理论 | 第13-14页 |
| 1.3.3 电子衍射几何学简介 | 第14-15页 |
| 1.4 EBSD的简介 | 第15-18页 |
| 1.4.1 EBSD设备及构造 | 第15-16页 |
| 1.4.2 EBSD花样的成像原理 | 第16-17页 |
| 1.4.3 EBSD的发展历程 | 第17-18页 |
| 1.5 选题依据及论文框架 | 第18-20页 |
| 第2章 多片层法表达式及模拟EBSD花样的散射模型 | 第20-26页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 实空间法和改进多片层法表达式的推导 | 第20-24页 |
| 2.2.1 实空间法（RS）公式推导 | 第21-22页 |
| 2.2.2 改进多片层法（RRS）公式推导 | 第22-24页 |
| 2.3 EBSD花样的散射模型 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 实空间法和改进多片层法对比模拟EBSD花样 | 第26-33页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 样品选择及模拟参数的设定 | 第26-27页 |
| 3.3 模拟结果与分析 | 第27-30页 |
| 3.3.1 电压、德拜因子和光阑半径对EBSD花样的影响 | 第27-29页 |
| 3.3.2 2阶和3阶改进多片层法模拟EBSD花样的比较 | 第29-30页 |
| 3.4 讨论 | 第30-31页 |
| 3.5 本章小结 | 第31-33页 |
| 第4章 改进多片层法精确模拟EBSD花样 | 第33-39页 |
| 4.1 引言 | 第33页 |
| 4.2 改进多片层法模拟的EBSD花样与实验花样对比 | 第33-34页 |
| 4.3 模拟结果与分析 | 第34-38页 |
| 4.3.1 电子能量展宽对EBSD花样的影响 | 第34-36页 |
| 4.3.2 电子倾斜入射对EBSD花样的影响 | 第36-38页 |
| 4.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第5章 改进多片层法模拟片层内EBSD花样 | 第39-48页 |
| 5.1 引言 | 第39-40页 |
| 5.2 样品选择和参数设定 | 第40页 |
| 5.3 模拟结果与分析 | 第40-45页 |
| 5.3.1 RRS法模拟Mo[001]方向不同深度范围内的EBSD花样 | 第40-43页 |
| 5.3.2 RRS法模拟Cu[001]方向不同深度范围内的EBSD花样 | 第43-45页 |
| 5.4 讨论 | 第45-47页 |
| 5.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第6章 展望 | 第48-50页 |
| 6.1 工作结论 | 第48-49页 |
| 6.2 工作展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 个人简历、攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第56页 |
