中文摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
第一章 综述 | 第9-28页 |
1.1 碳材料的自旋电子学研究 | 第9页 |
1.2 磁性材料与碳的复合体系研究 | 第9-22页 |
1.2.1 碳基磁性复合体系的磁性研究 | 第11-13页 |
1.2.2 碳基磁性复合体系的输运性质研究 | 第13-22页 |
1.3 理论背景 | 第22-25页 |
1.3.1 半导体磁电阻的理论模型 | 第22-24页 |
1.3.2 半导体电输运的理论模型 | 第24-25页 |
1.4 存在的问题及本论文的工作 | 第25-28页 |
第二章 样品制备、结构表征与物性测量 | 第28-34页 |
2.1 薄膜样品的制备 | 第28-30页 |
2.2 结构表征 | 第30-31页 |
2.2.1 台阶仪 | 第30页 |
2.2.2 透射电子显微镜 | 第30-31页 |
2.2.3 X射线光电子能谱 | 第31页 |
2.2.4 拉曼光谱 | 第31页 |
2.3 物性测量 | 第31-34页 |
2.3.1 磁性测量 | 第31-32页 |
2.3.2 电性测量 | 第32-33页 |
2.3.3 光学性质测量 | 第33-34页 |
第三章 Gd掺杂非晶碳颗粒薄膜的微观结构及输运性质 | 第34-53页 |
3.1 Gd掺杂非晶碳颗粒薄膜的微观结构表征及成分分析征 | 第34-38页 |
3.1.1 Gd原子掺杂量对Gd/C颗粒薄膜微观结构的影响 | 第34-36页 |
3.1.2 退火温度对Gd/C颗粒薄膜微观结构的影响 | 第36-38页 |
3.2 Gd掺杂非晶碳颗粒薄膜的磁性质及电输运性质 | 第38-44页 |
3.2.1 Gd/C颗粒薄膜的磁性质 | 第38-40页 |
3.2.2 Gd掺杂量对Gd/C颗粒薄膜电输运性质的影响 | 第40-42页 |
3.2.3 退火温度对Gd/C颗粒薄膜电输运性质的影响 | 第42-44页 |
3.3 Gd/C颗粒薄膜的磁电阻效应 | 第44-50页 |
3.4 Gd/C颗粒薄膜的透明导电特性 | 第50-51页 |
3.5 本章小结 | 第51-53页 |
第四章 Lu掺杂非晶碳颗粒薄膜的微观结构及输运性质 | 第53-67页 |
4.1 Lu掺杂非晶碳颗粒薄膜的微观结构及磁性质 | 第53-58页 |
4.1.1 Lu/C颗粒薄膜的微观结构表征及成分分析 | 第53-57页 |
4.1.2 Lu/C颗粒薄膜的磁性质 | 第57-58页 |
4.2 Lu/C颗粒薄膜的电输运性质 | 第58-62页 |
4.2.1 Lu原子掺杂量对Lu/C颗粒薄膜电输运性质的影响 | 第58-61页 |
4.2.2 退火温度对Lu/C颗粒薄膜电输运性质的影响 | 第61-62页 |
4.3 Lu/C颗粒薄膜的磁电阻效应 | 第62-66页 |
4.4 本章小结 | 第66-67页 |
第五章 结论 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-75页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第75-76页 |
致谢 | 第76-77页 |