| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-34页 |
| ·自旋电子学概述 | 第13-20页 |
| ·巨磁阻效应与金属自旋电子学 | 第13-15页 |
| ·自旋场效应晶体管与半导体自旋电子学 | 第15-18页 |
| ·新兴自旋电子学――量子自旋霍尔效应与拓扑绝缘体 | 第18-20页 |
| ·电子自旋相关性质 | 第20-28页 |
| ·自旋轨道耦合效应与零场自旋分裂能 | 第20-24页 |
| ·自旋极化率 | 第24-25页 |
| ·磁性多层膜中的自旋极化输运 | 第25-27页 |
| ·磁性多层膜中的垂直磁各向异性 | 第27-28页 |
| ·本论文创新点与结构简介 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-34页 |
| 第2章 磁输运：方法、现象与理论 | 第34-51页 |
| ·磁输运测量方法及测量系统 | 第34-39页 |
| ·标准霍尔法 | 第34-35页 |
| ·范德堡法 | 第35-37页 |
| ·磁输运测量系统 | 第37-39页 |
| ·磁输运现象与理论 | 第39-49页 |
| ·经典霍尔效应与Drude电子输运理论 | 第39-42页 |
| ·反常霍尔效应 | 第42-43页 |
| ·量子霍尔效应 | 第43-44页 |
| ·朗道量子化与磁阻的Shubnikov-de Hass振荡 | 第44-47页 |
| ·弱局域效应与弱反局域效应 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第3章 HgTe表面量子阱中二维电子系统的自旋极化率 | 第51-73页 |
| ·引言 | 第51-54页 |
| ·提取自旋极化率的重合法简介 | 第54-56页 |
| ·样品与实验条件 | 第56-57页 |
| ·实验结果与讨论 | 第57-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 第4章 In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As量子阱中二维电子系统的零场自旋分裂能与高场有效g因子 | 第73-97页 |
| ·引言 | 第73-74页 |
| ·提取零场自旋分裂能的方法 | 第74-81页 |
| ·SdH磁阻振荡的拍频效应 | 第74-76页 |
| ·弱反局域效应 | 第76-81页 |
| ·提取有效g因子的方法 | 第81-82页 |
| ·样品与实验条件 | 第82-83页 |
| ·实验结果与讨论 | 第83-92页 |
| ·样品的零场自旋分裂能 | 第83-88页 |
| ·样品的高场g因子 | 第88-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-97页 |
| 第5章 Co/Pt磁性多层膜的垂直各向异性研究 | 第97-110页 |
| ·引言 | 第97-98页 |
| ·样品与实验条件 | 第98页 |
| ·实验结果与讨论 | 第98-106页 |
| ·本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-110页 |
| 第6章 结论与展望 | 第110-112页 |
| ·结论 | 第110-111页 |
| ·展望 | 第111-112页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第112-114页 |
