InGaAs量子阱半导体薄片激光器芯片处理及光谱特性
| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-19页 |
| ·课题背景及研究意义 | 第10-13页 |
| ·半导体薄片激光器的发展现状 | 第13-18页 |
| ·锁模半导体薄片激光器研究现状 | 第14-16页 |
| ·倍频半导体薄片激光器研究现状 | 第16-18页 |
| ·论文的主要工作 | 第18-19页 |
| 2 SDLS理论基础与结构设计 | 第19-29页 |
| ·SDLS工作原理与基本结构 | 第19-21页 |
| ·SDLs工作原理 | 第19-20页 |
| ·SDLs基本结构 | 第20-21页 |
| ·应变量子阱 | 第21-26页 |
| ·应变量子阱材料体系 | 第21-23页 |
| ·应变对量子阱能带的影响 | 第23-25页 |
| ·应变量子阱临界厚度 | 第25-26页 |
| ·量子阱设计厚度 | 第26页 |
| ·DBR反射镜 | 第26-27页 |
| ·VECSEL结构设计 | 第27-28页 |
| ·缓冲层设计 | 第27页 |
| ·增益芯片结构 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 3 芯片处理 | 第29-42页 |
| ·热管理的基本理论 | 第29页 |
| ·液体毛细键合 | 第29-33页 |
| ·液体毛细键合理论分析 | 第29-31页 |
| ·液体毛细键合实验 | 第31-33页 |
| ·金属化处理 | 第33-38页 |
| ·芯片表面金属化 | 第33-35页 |
| ·增益芯片焊接原理 | 第35-36页 |
| ·焊接实验 | 第36-38页 |
| ·基质刻蚀 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 4 光谱特性 | 第42-48页 |
| ·量子阱自发辐射谱 | 第42-43页 |
| ·光谱测量实验 | 第43页 |
| ·边发射谱特性 | 第43-45页 |
| ·面发射谱特性 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 5 总结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-56页 |
| 附录A：作者攻读硕士学位期间发表论文及科研情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
