| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-29页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·HEMT 基本结构 | 第11-16页 |
| ·AlGaAs/GaAs HEMT | 第11-14页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT | 第14-16页 |
| ·二维电子气的基本性质 | 第16-19页 |
| ·三角形势阱模型 | 第16-17页 |
| ·方形势阱模型 | 第17-18页 |
| ·二维屏蔽因子 | 第18-19页 |
| ·散射基本理论 | 第19-21页 |
| ·弛豫时间近似 | 第19-20页 |
| ·弹性散射 | 第20-21页 |
| ·非弹性散射 | 第21页 |
| ·常见的散射机制回顾 | 第21-27页 |
| ·电离杂质散射 | 第22-23页 |
| ·界面粗糙度散射 | 第23-24页 |
| ·合金无序散射 | 第24-25页 |
| ·晶格振动散射 | 第25-27页 |
| ·研究现状与本文内容概述 | 第27-29页 |
| 第2章 GaAs/InGaAs 量子阱中第二类量子点的各向异性散射 | 第29-41页 |
| ·引言 | 第29-30页 |
| ·拉长型第二类量子点的各向异性散射 | 第30-33页 |
| ·二维各向异性迁移率张量推导 | 第33-36页 |
| ·二维玻尔兹曼方程简介 | 第33-35页 |
| ·各向异性迁移率张量推导 | 第35-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-40页 |
| ·散射各向异性讨论 | 第36-38页 |
| ·各向异性迁移率 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 AlGaN/InGaN/GaN 异质结中第一类量子点的库仑散射 | 第41-49页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·第一类量子点的库仑散射 | 第42-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 AlGaN /GaN 异质结中倾斜位错线的各向异性散射 | 第49-58页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·倾斜位错的各向异性散射 | 第50-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-57页 |
| ·散射各向异性讨论 | 第53-54页 |
| ·各向异性迁移率 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 AlGaN /GaN HEMT 器件中钝化层表面粗糙度散射 | 第58-72页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结中的表面态 | 第59-62页 |
| ·极化电荷和内建电场 | 第59-60页 |
| ·表面态的形成机理 | 第60-62页 |
| ·钝化层对二维电子浓度的影响 | 第62-66页 |
| ·二维电子浓度的推导 | 第62-64页 |
| ·影响二维电子气浓度的因素 | 第64-66页 |
| ·钝化层粗糙度散射对迁移率的影响 | 第66-71页 |
| ·钝化层粗糙度散射的推导 | 第66-69页 |
| ·影响迁移率的因素 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第6章 面内磁场对二维电子气输运的调制 | 第72-84页 |
| ·引言 | 第72-73页 |
| ·磁场下二维电子能级 | 第73-75页 |
| ·面内磁场的微观调制机理 | 第75-76页 |
| ·面内磁场对二维电子气输运的调制 | 第76-79页 |
| ·面内磁场导致的散射各向异性 | 第76-78页 |
| ·面内磁场下的玻尔兹曼方程 | 第78-79页 |
| ·结果与讨论 | 第79-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第7章 结论 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-97页 |
| 致谢 | 第97-99页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第99页 |
