| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-11页 |
| 目录 | 第11-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-23页 |
| ·本文所研究的红外探测材料概述 | 第13-16页 |
| ·铟砷锑（InAsSb）材料背景及研究现状 | 第13-14页 |
| ·铟氮锑（InNSb）材料背景及研究现状 | 第14-15页 |
| ·铟砷/镓锑（InAs/GaSb）二类超晶格背景及载流子寿命研究现状 | 第15-16页 |
| ·本文主要工作 | 第16-18页 |
| 本章参考文献 | 第18-23页 |
| 第二章 本文相关测试技术及其应用 | 第23-34页 |
| ·本文相关测试技术概述 | 第23-28页 |
| ·红外光谱仪概述 | 第23页 |
| ·傅里叶远红外光谱仪简介 | 第23-25页 |
| ·脉冲激光概述 | 第25页 |
| ·皮秒脉冲激光器简介 | 第25-27页 |
| ·XRD 以及拉曼光谱概述 | 第27页 |
| ·标准黑体概述 | 第27-28页 |
| ·相关测试技术在本文所研究材料中的应用 | 第28-31页 |
| ·红外光谱在 InAsSb 和 InNSb 研究中的应用 | 第28-30页 |
| ·脉冲激光在 InAs/GaSb II 类超晶格研究中的应用 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 本章参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 InAsxSb1-x(x=0~0.4)薄膜的远红外反射谱研究 | 第34-55页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·InAsxSb1-x远红外反射光谱实验 | 第35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-46页 |
| ·反射光谱的拟合 | 第35-39页 |
| ·等位移模型解释 | 第39-43页 |
| ·载流子特性的分析 | 第43-46页 |
| ·材料拉曼光谱的测试 | 第46-51页 |
| ·拉曼光谱的拟合分析 | 第46-49页 |
| ·修正的等位移模型 | 第49-51页 |
| ·结论 | 第51-52页 |
| 本章参考文献 | 第52-55页 |
| 第四章 基于 GaAs 衬底的晶格失配 InAs0.07Sb0.93薄膜红外探测特性 | 第55-69页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·InAsSb 器件实验方法 | 第56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-59页 |
| ·响应光电流谱 | 第56-58页 |
| ·黑体响应特性 | 第58-59页 |
| ·测试结果的分析 | 第59-62页 |
| ·响应率与探测率的计算 | 第59-60页 |
| ·量子效率的计算 | 第60-62页 |
| ·感光面积和电极尺寸对探测器性能的影响 | 第62-65页 |
| ·不同的器件结构 | 第62页 |
| ·不同面积器件电阻的变化规律 | 第62-63页 |
| ·不同面积器件响应能力的变化规律 | 第63-65页 |
| ·结论 | 第65-67页 |
| 本章参考文献 | 第67-69页 |
| 第五章 InN0.01Sb0.99薄膜的红外反射光谱及探测特性和退火的影响 | 第69-81页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·InNSb 材料及器件的实验方法 | 第70页 |
| ·结果与讨论 | 第70-77页 |
| ·薄膜的远红外反射光谱 | 第70-73页 |
| ·黑体响应特性 | 第73-74页 |
| ·响应光电流谱 | 第74-77页 |
| ·结论 | 第77-78页 |
| 本章参考文献 | 第78-81页 |
| 第六章 InAs/GaSb 二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性 | 第81-99页 |
| ·引言 | 第81-82页 |
| ·开路电压法(OCVD) | 第82页 |
| ·开路电压实验 | 第82-85页 |
| ·改进的并联小电阻法 | 第85-87页 |
| ·少数载流子寿命测试的实验方法： | 第87-88页 |
| ·结果与讨论 | 第88-94页 |
| ·光伏衰退理论模型 | 第88-89页 |
| ·测试结果分析 | 第89-93页 |
| ·变面积的测试 | 第93-94页 |
| ·结论 | 第94-96页 |
| 本章参考文献 | 第96-99页 |
| 第七章 总结和展望 | 第99-102页 |
| ·总结 | 第99-100页 |
| ·展望 | 第100-102页 |
| 附录 A | 第102-109页 |
| 红外探测器的量子效率的计算 | 第102-109页 |
| 量子效率 | 第102-103页 |
| 探测器比例因子——g 因子的计算 | 第103-106页 |
| 归一化 PC 谱的测量 | 第106-109页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第109页 |
