| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-41页 |
| ·碳化硅的结构与性质 | 第13-17页 |
| ·碳化硅的结构特性 | 第13-14页 |
| ·碳化硅的技术特性 | 第14-16页 |
| ·碳化硅的电学特性 | 第16页 |
| ·碳化硅的光学特性 | 第16-17页 |
| ·碳化硅一维纳米材料的合成方法 | 第17-24页 |
| ·化学气相沉积法 | 第17-18页 |
| ·模板生长法 | 第18-20页 |
| ·溶胶-凝结法 | 第20页 |
| ·电弧放电法 | 第20-21页 |
| ·碳热还原法 | 第21-22页 |
| ·溶剂热法 | 第22页 |
| ·其它方法 | 第22-24页 |
| ·碳化硅一维纳米材料的分类及研究进展 | 第24-33页 |
| ·碳化硅纳米线 | 第24-25页 |
| ·碳化硅纳米棒 | 第25-26页 |
| ·碳化硅纳米电缆 | 第26-27页 |
| ·碳化硅纳米带 | 第27-29页 |
| ·碳化硅纳米线阵列 | 第29-30页 |
| ·碳化硅纳米管 | 第30-31页 |
| ·碳化硅纳米弹簧 | 第31-32页 |
| ·碳化硅纳米项链 | 第32-33页 |
| ·碳化硅一维纳米材料的基本特性及应用 | 第33-39页 |
| ·碳化硅一维纳米材料的力学特性 | 第33-34页 |
| ·碳化硅一维纳米材料的电学特性 | 第34-35页 |
| ·碳化硅一维纳米材料的光学特性 | 第35-36页 |
| ·碳化硅一维纳米材料的场发射特性 | 第36-37页 |
| ·碳化硅一维纳米材料的光催化特性 | 第37-38页 |
| ·碳化硅一维纳米材料的其它特性 | 第38-39页 |
| ·论文选题与研究内容 | 第39-41页 |
| ·论文选题的意义和目的 | 第39页 |
| ·论文的研究内容 | 第39-41页 |
| 第二章 实验设备及表征 | 第41-45页 |
| ·实验仪器和设备 | 第41页 |
| ·实验原料与试剂 | 第41-42页 |
| ·粉体原料的预处理 | 第42页 |
| ·SiC 一维纳米材料的表征方法 | 第42-45页 |
| ·X 射线衍射（XRD）分析 | 第42页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第42页 |
| ·透射电子显微镜（TEM）和选区电子衍射（SAED）分析 | 第42页 |
| ·高分辨透射电子显微镜（HRTEM）分析 | 第42-43页 |
| ·傅里叶红外光谱（FT-IR）分析 | 第43页 |
| ·光致发光特性（PL）测试 | 第43页 |
| ·场发射特性（FE）测试 | 第43-45页 |
| 第三章 竹节状 SiC 一维纳米材料的制备 | 第45-53页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·实验方法 | 第46页 |
| ·试样表征及结果分析 | 第46-51页 |
| ·竹节状 SiC 一维纳米材料的形貌分析 | 第46-48页 |
| ·竹节状 SiC 一维纳米材料的化学组成 | 第48-49页 |
| ·竹节状 SiC 一维纳米材料的结构分析 | 第49-51页 |
| ·竹节状 SiC 一维纳米材料的生长机理讨论 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 棒状 SiC 一维纳米材料的制备及其结晶度变化研究 | 第53-61页 |
| ·前言 | 第53-54页 |
| ·实验方法 | 第54页 |
| ·试样表征及结果分析 | 第54-58页 |
| ·棒状 SiC 一维纳米材料的形貌分析 | 第54-56页 |
| ·棒状 SiC 一维纳米材料的物相分析 | 第56-57页 |
| ·棒状 SiC 一维纳米材料的微观结构研究 | 第57-58页 |
| ·棒状 SiC 一维纳米材料的生长机理研究 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 功能型碳包覆层对 SiC 一维纳米材料场发射性能提升 | 第61-78页 |
| ·前言 | 第61-62页 |
| ·实验方法 | 第62-63页 |
| ·试样表征及结果分析 | 第63-77页 |
| ·非晶碳包覆 SiC 一维纳米材料的合成产物形貌分析 | 第63-66页 |
| ·非晶碳包覆 SiC 一维纳米材料的物相分析 | 第66页 |
| ·非晶碳包覆型 SiC 一维纳米材料的结构及成份组成表征 | 第66-69页 |
| ·非晶碳包覆型 SiC 一维纳米材料的生长机理研究 | 第69-71页 |
| ·晶体碳包覆型 SiC 一维纳米材料的物相分析 | 第71-72页 |
| ·晶体碳包覆 SiC 一维纳米材料的合成产物形貌分析 | 第72页 |
| ·晶体碳包覆型 SiC 一维纳米材料的结构及成份组成表征 | 第72-73页 |
| ·晶体碳包覆型 SiC 一维纳米材料的生长机理研究 | 第73-74页 |
| ·系列碳包覆 SiC 一维纳米材料的场发射性能研究 | 第74-76页 |
| ·系列碳包覆型 SiC 一维纳米材料的表面疏水特性研究 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第六章 大量 SiC 纳米线的制备工艺研究 | 第78-94页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·实验部分 | 第79-80页 |
| ·SiC 一维纳米材料的实验设备 | 第80页 |
| ·试样表征及结果分析 | 第80-91页 |
| ·催化剂对制备 SiC 一维纳米材料形貌的影响规律 | 第80-86页 |
| ·保温时间对制备 SiC 一维纳米材料形貌的影响 | 第86-89页 |
| ·SiC 纳米线的结构与物相分析 | 第89-90页 |
| ·XRD 分析 | 第90-91页 |
| ·SiC 纳米线的生长机理讨论 | 第91-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 第七章 基于自制连续生产真空气氛炉的 SiC 纳米线的量产化制备 | 第94-115页 |
| ·前言 | 第94-95页 |
| ·实验方法 | 第95-96页 |
| ·试样表征及结果分析 | 第96-114页 |
| ·反应温度对 SiC 纳米线的量产化制备及形貌变化的影响 | 第96-100页 |
| ·预热温度对制备 SiC 纳米线的影响 | 第100-103页 |
| ·预热方式对产物的影响 | 第103-104页 |
| ·二次升温速率对制备 SiC 纳米线的影响 | 第104-107页 |
| ·反应时间对制备 SiC 纳米线的影响 | 第107-113页 |
| ·生长机理分析与讨论 | 第113-114页 |
| ·本章小结 | 第114-115页 |
| 第八章 退火处理对 SiC 一维纳米材料光致发光特性的影响 | 第115-128页 |
| ·前言 | 第115-116页 |
| ·实验方法 | 第116-117页 |
| ·SiC 纳米线的制备 | 第116页 |
| ·SiC 纳米线的退火处理 | 第116-117页 |
| ·试样表征及结果分析 | 第117-127页 |
| ·SiC 纳米线的表征 | 第117-120页 |
| ·退火温度对 SiC 纳米线光致发光性能影响规律的研究 | 第120-121页 |
| ·退火气氛对 SiC 纳米线光致发光性能影响规律的研究 | 第121-123页 |
| ·退火时间对 SiC 纳米线光致发光性能影响规律的研究 | 第123-124页 |
| ·最优 PL 特性退火工艺的确定 | 第124-125页 |
| ·最优 PL 特性退火工艺下 SiC 纳米线的形貌、结构及结晶状况 | 第125-127页 |
| ·本章小结 | 第127-128页 |
| 第九章 结论 | 第128-131页 |
| ·总结 | 第128-129页 |
| ·展望 | 第129-131页 |
| 参考文献 | 第131-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文及获奖目录 | 第141-143页 |
