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高质量场发射碳纳米材料生长及表征技术研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
一、绪论第10-18页
 1. 碳纳米管第10-16页
   ·碳纳米管的结构第10-11页
   ·碳纳米管的性质第11-12页
   ·碳纳米管的制备方法第12-14页
   ·碳纳米管的应用第14-16页
 2. 本文的目的与意义第16-18页
二、热 CVD 法结合阳极化技术的碳纳米管制备第18-28页
 1. 阳极化技术第18-22页
   ·阳极化工艺原理第18-19页
   ·阳极化相关参数第19-20页
   ·金属基底阳极化过程第20-22页
 2.热 CVD 技术第22-25页
   ·热 CVD 法工艺原理第22-23页
   ·碳纳米管生长影响因子及参数的控制第23-25页
 3.热 CVD 法直接制备 CNTs 过程第25-28页
三、碳纳米管的表征技术及性能测试方法第28-34页
 1. 扫描电子显微镜(SEM)第28-30页
 2. 透射电子显微镜(TEM)第30页
 3. 碳管与基底附着力测试第30-32页
 4. 场发射性能及稳定性测试第32-34页
四、热 CVD 法制备碳管结果分析及参数优化第34-50页
 1. 温度参数对碳纳米管制备的影响及优化第34-36页
 2. 生长压力参数对碳纳米管制备的影响及优化第36-38页
 3. 生长时间参数对碳纳米管制备的影响及优化第38-41页
 4. 阳极化处理对金属基底的影响第41-42页
 5. 电解液及其浓度参数对碳纳米管制备的影响及优化第42-44页
 6. 阳极化时间参数对碳纳米管制备的影响及优化第44-46页
 7. 阳极化电压参数对碳纳米管制备的影响及优化第46-50页
五、结论与展望第50-52页
 结论第50页
 展望第50-52页
参考文献第52-56页
致谢第56-58页
攻读硕士期间发表的论文目录第58页

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