| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| ·研究目的及意义 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·电子元器件的 ESD 损伤 | 第13-16页 |
| ·静电的产生与来源 | 第14-15页 |
| ·ESD 标准 | 第15-16页 |
| ·本文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 肖特基二极管的基本原理 | 第18-23页 |
| ·肖特基势垒 | 第18-19页 |
| ·SBD 的结构 | 第19-20页 |
| ·SBD 的 I-V 特性 | 第20-22页 |
| ·正向导通特性 | 第20-22页 |
| ·反向截止特性 | 第22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 不同衬底对 SBD 的 ESD 性能影响 | 第23-35页 |
| ·Si SBD 的结构 | 第23-26页 |
| ·SiC SBD 的结构 | 第26-28页 |
| ·SiC 材料基本性质 | 第26-27页 |
| ·SiC SBD 结构建模 | 第27-28页 |
| ·SBD 的 ESD 性能 | 第28-34页 |
| ·器件物理模型 | 第28-29页 |
| ·Si 与 SiC SBD 的 ESD 性能对比 | 第29-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 P~+环结构参数对 SBD 抗 ESD 性能影响 | 第35-50页 |
| ·P~+环对 SBD 抗 ESD 性能影响 | 第35-38页 |
| ·P~+环面积对 ESD 性能的影响 | 第38-43页 |
| ·P~+环结深对 ESD 性能的影响 | 第39-41页 |
| ·P~+环宽度对 ESD 性能的影响 | 第41-43页 |
| ·P~+环个数及间距对 ESD 性能的影响 | 第43-48页 |
| ·内 P~+环个数对 ESD 性能的影响 | 第43-46页 |
| ·外 P~+环个数及间距对 ESD 性能的影响 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |