微纳电子器件中具有表面微结构的印章转印机理研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-22页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第12-13页 |
| ·研究现状 | 第13-20页 |
| ·速度动态控制 | 第14-16页 |
| ·印章微结构辅助转印 | 第16-17页 |
| ·剪切载荷辅助转印 | 第17-18页 |
| ·激光驱动转印 | 第18页 |
| ·气体驱动转印 | 第18-20页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第20-22页 |
| 第2章 连续薄膜转印分析 | 第22-36页 |
| ·连续薄膜转印过程介绍 | 第22页 |
| ·转印过程力学模型及数值计算方法 | 第22-24页 |
| ·转印过程力学模型及转移和印刷成败的判断依据 | 第22-24页 |
| ·计算方法 | 第24页 |
| ·数值方法可行性验证 | 第24-25页 |
| ·各因素对转印机制的影响 | 第25-34页 |
| ·界面缺陷对应变能量释放率的影响 | 第25-27页 |
| ·薄膜厚度对对应变能量释放率的影响 | 第27-28页 |
| ·基体材料弹性性能对应变能量释放率的影响 | 第28-29页 |
| ·印章材料性能对应变能量释放率的影响 | 第29-34页 |
| ·印章材料弹性模量对能量释放率的影响 | 第30-31页 |
| ·速度对能量释放率的影响 | 第31-33页 |
| ·松弛时间τ_1对能量释放率的影响 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第3章 离散阵列结构转印分析 | 第36-54页 |
| ·印章结构 | 第36-37页 |
| ·印章顶部塌陷 | 第37-41页 |
| ·侧向塌陷 | 第41-42页 |
| ·转印模型分析 | 第42-44页 |
| ·各因素对转印机制的影响 | 第44-51页 |
| ·不同裂纹长度对能量释放率的影响 | 第44-47页 |
| ·薄膜阵列结构间距对转印的影响 | 第47-48页 |
| ·柱状结构印章柱子尺寸对转印的影响 | 第48-49页 |
| ·柱状结构印章柱子宽度对转印的影响 | 第48-49页 |
| ·柱状结构印章柱子高度对转印的影响 | 第49页 |
| ·印章材料粘弹性性能的影响 | 第49-51页 |
| ·速度对能量释放率的影响 | 第49-50页 |
| ·松弛时间τ_1对能量释放率的影响 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-54页 |
| 第4章 表面具有微结构的印章对转印的影响 | 第54-66页 |
| ·印章表面微结构 | 第54-55页 |
| ·粘附力作用下顶部塌陷与侧向塌陷 | 第55-56页 |
| ·印章表面微结构对界面能量释放率的影响 | 第56-61页 |
| ·数值计算印章表面微结构对转印的影响 | 第61-64页 |
| ·界面扩展方向与线性阵列结构方向垂直 | 第61-63页 |
| ·界面扩展方向与线性阵列结构方向平行 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第5章 剪切辅助对转印的影响 | 第66-74页 |
| ·剪切辅助对应力分布的影响 | 第66-67页 |
| ·断裂准则的确定 | 第67-68页 |
| ·印章表面无微结构时剪切辅助对转印的影响 | 第68-69页 |
| ·剪切位移对印章/微纳米材料界面的影响 | 第68-69页 |
| ·剪切位移对转印过程中上下界面竞争分层的影响 | 第69页 |
| ·界面扩展方向与线性阵列结构方向垂直 | 第69-71页 |
| ·剪切位移对印章/微纳米材料界面的影响 | 第69-70页 |
| ·剪切位移对转印过程中上下界面竞争分层的影响 | 第70-71页 |
| ·印章表面线性阵列微结构方向平行于界面分层方向 | 第71-73页 |
| ·剪切位移对印章/微纳米材料界面的影响 | 第71-72页 |
| ·剪切位移对转印过程中上下界面竞争分层的影响 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第6章 总结与展望 | 第74-76页 |
| ·总结 | 第74-75页 |
| ·展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 攻读学位期间参加的科研项目和成果 | 第82页 |
