氧化锌基薄膜晶体管的制备与性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-20页 |
| ·薄膜晶体管(TFT)的基本原理 | 第9-13页 |
| ·TFT 的构成和工作原理 | 第9-11页 |
| ·影响 TFT 电学性能的参数 | 第11-12页 |
| ·TFT 与 MOSFET 的比较 | 第12-13页 |
| ·TFT 的应用、发展与研究现状 | 第13-19页 |
| ·TFT 的应用 | 第13-16页 |
| ·TFT 的发展 | 第16-17页 |
| ·TFT 的研究现状 | 第17-19页 |
| ·研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 氧化锌基薄膜的制备与表征 | 第20-26页 |
| ·溶胶凝胶 | 第20-21页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第21-23页 |
| ·表征方法 | 第23-26页 |
| ·透光率 | 第23页 |
| ·X 射线衍射 | 第23-24页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第24页 |
| ·I-V 分析 | 第24-26页 |
| 第3章 ZLO-TFT 的制备与研究 | 第26-32页 |
| ·制备 ZLO 薄膜的设备与原料 | 第26页 |
| ·ZLO 制备流程 | 第26-27页 |
| ·电极制备流程 | 第27-28页 |
| ·性能表征与分析 | 第28-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第4章 ZTO-TFT 的制备与研究 | 第32-38页 |
| ·制备 ZTO 薄膜的设备与原料 | 第32页 |
| ·ZTO 制备流程 | 第32-33页 |
| ·电极制备流程 | 第33-34页 |
| ·性能表征与分析 | 第34-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第5章 高 K 栅 ZAO-TFT 的制备与研究 | 第38-44页 |
| ·器件制备流程 | 第38-40页 |
| ·基片清洗 | 第39页 |
| ·沉积 HfO2和 ZAO 薄膜 | 第39页 |
| ·电极制备与退火 | 第39-40页 |
| ·性能表征与分析 | 第40-43页 |
| ·SEM 分析 | 第40页 |
| ·XRD 分析 | 第40-41页 |
| ·电学性能分析 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第6章 工作总结与展望 | 第44-46页 |
| ·工作总结 | 第44页 |
| ·展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 攻读硕士学位期间的论文发表情况 | 第51页 |
