| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| ·课题研究背景及现实意义 | 第10-12页 |
| ·论文结构安排 | 第12-13页 |
| 第二章 光通信中的硅基光接收器件 | 第13-24页 |
| ·光通信中的硅基光接收器件研究背景 | 第13-14页 |
| ·光通信中的硅锗光探测器 | 第14-18页 |
| ·并入锗的硅光探测器 | 第14-17页 |
| ·硅基锗光探测器 | 第17-18页 |
| ·光通信中的硅基离子注入光探测器 | 第18-19页 |
| ·光通信中的硅基Ⅲ-Ⅴ族材料光探测器 | 第19-23页 |
| ·单片集成Si基长波长光探测器 | 第20-21页 |
| ·硅和Ⅲ-Ⅴ族材料的混合集成 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 光通信中WDM系统解复用接收器件 | 第24-36页 |
| ·波分复用技术介绍 | 第24-25页 |
| ·2WDM系统解复用技术 | 第25-28页 |
| ·光栅解复用技术原理 | 第25页 |
| ·薄膜滤波解复用技术原理 | 第25-26页 |
| ·微环滤波器解复用原理 | 第26-27页 |
| ·AWG型解复用器原理 | 第27-28页 |
| ·具有平顶陡边光谱响应的解复用光接收器件 | 第28-35页 |
| ·法布里-珀罗滤波器集成解复用接收器 | 第28-29页 |
| ·反常色散顶镜RCE集成解复用接收器 | 第29-31页 |
| ·级联亚波长光栅结构集成解复用接收器 | 第31-32页 |
| ·台阶结构集成解复用接收器 | 第32-33页 |
| ·微环结构集成解复用接收器 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 晶片键合技术探讨 | 第36-47页 |
| ·晶片键合技术介绍 | 第36-37页 |
| ·高温晶片键合技术 | 第37-38页 |
| ·低温晶片键合技术 | 第38-43页 |
| ·低温晶片键合的意义 | 第38-39页 |
| ·低温晶片键合技术介绍 | 第39-43页 |
| ·混合集成Si基光探测器键合工艺探索 | 第43-44页 |
| ·商用晶片键合设备的介绍 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 具有平顶陡边光谱响应的Si基长波长光探测器的设计 | 第47-60页 |
| ·分布布拉格反射镜基本理论 | 第47-49页 |
| ·分布布拉格反射镜的基本原理 | 第47-48页 |
| ·传输矩阵法分析分布布拉格反射镜 | 第48-49页 |
| ·具有平顶陡边透射谱的介质膜Fabry-Perot滤波器 | 第49-55页 |
| ·分布布拉格反射镜Fabry-Perot滤波器 | 第50-51页 |
| ·多腔级联介质膜Fabry-Perot滤波器 | 第51-55页 |
| ·具有平顶陡边响应的Si基长波长光接收器 | 第55-59页 |
| ·具有平顶陡边响应的Si基长波长光接收器的理论分析 | 第55-56页 |
| ·具有平顶陡边响应的Si基长波长光接收器的设计 | 第56-58页 |
| ·具有平顶陡边响应的Si基长波长光接收器的性能分析 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 具有平顶陡边响应的Si基长波长光探测器的实验研究 | 第60-72页 |
| ·光电子器件制作工艺简介 | 第60-63页 |
| ·金属有机物化学气相沉积外延生长简介 | 第60-61页 |
| ·光刻工艺 | 第61页 |
| ·正负反转胶工艺 | 第61-62页 |
| ·选择性腐蚀工艺 | 第62-63页 |
| ·镀金属膜技术 | 第63页 |
| ·器件生长 | 第63-65页 |
| ·InP基p-i-n光探测器的外延生长 | 第63页 |
| ·Si基Ta_2O_5/SiO_2介质薄膜滤波器生长 | 第63-65页 |
| ·Si基Ta_2O_5/SiO_2介质薄膜滤波器与Ⅲ-Ⅴ材料长波长光探测器外延片键合工艺 | 第65-66页 |
| ·键合晶片预处理 | 第65-66页 |
| ·Si基TazCVSiOz介质薄膜滤波器与III - V材料长波长光探测器外延片键合处理 | 第66页 |
| ·器件的制作 | 第66-68页 |
| ·器件性能测试 | 第68-71页 |
| ·器件量子效率测试系统及原理介绍 | 第68-70页 |
| ·器件量子效率测试 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第79页 |
