首页--工业技术论文--电工技术论文--电工材料论文--超导体、超导体材料论文

具有TiN过渡层的Si基NbN薄膜的制备与性能

中文摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第一章 引言第10-21页
   ·超导材料介绍第10-13页
   ·氮化铌(NbN)薄膜的晶体结构和基本特性第13-14页
   ·氮化钛(TiN)薄膜的晶体结构和基本特性第14-15页
   ·NbN 薄膜的研究现状第15-17页
   ·NbN 薄膜和 TiN 薄膜的制备方法第17-19页
   ·研究内容和意义第19-21页
     ·基片和过渡层的选择第19-20页
     ·本文的研究内容第20页
     ·本文的研究意义第20-21页
第二章 薄膜的制备方法和表征原理第21-33页
   ·薄膜的生长过程第21-23页
   ·磁控溅射技术第23-25页
   ·薄膜的分析表征方法第25-33页
     ·X 射线衍射仪(XRD)第25-29页
     ·原子力显微镜(AFM)第29-30页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第30-31页
     ·台阶仪第31页
     ·综合物性测量系统(PPMS)第31-33页
第三章 磁控溅射法制备 Si 基 TiN 薄膜及其性能表征第33-52页
   ·实验方法第33-35页
     ·直流磁控溅射设备第33-34页
     ·实验的材料第34-35页
     ·实验的步骤第35页
   ·薄膜的制备第35-37页
     ·基片的清洗第35-36页
     ·TiN 薄膜的制备第36-37页
   ·沉积时压强对 TiN 薄膜的结构和表面形貌的影响第37-41页
     ·沉积时压强对 TiN 薄膜的结晶性能的影响第38-39页
     ·沉积时压强对 TiN 薄膜的表面形貌的影响第39-41页
   ·沉积时的氮氩比对 TiN 薄膜的结构和表面形貌的影响第41-46页
     ·沉积时氮氩流量比对 TiN 薄膜的结晶性能的影响第42-44页
     ·沉积时氮氩流量比对 TiN 薄膜的表面形貌的影响第44-46页
   ·沉积功率对 TiN 薄膜的结构和表面形貌的影响第46-50页
     ·沉积时的功率对 TiN 薄膜的结晶性能的影响第47-48页
     ·沉积时的功率对 TiN 薄膜的薄膜形貌的影响第48-50页
   ·小结第50-52页
第四章 Si 基 TiN 过渡层对 NbN 薄膜结构和超导性能的影响第52-68页
   ·实验方法和步骤第52-56页
   ·实验结果和讨论第56-67页
     ·XRD 测试结果第57-59页
     ·PPMS 测试结果第59页
     ·表面形貌测试结果第59-61页
     ·TEM 测试结果第61-65页
     ·TiN 薄膜的 R-T 曲线第65-67页
   ·小结第67-68页
第五章 总结和展望第68-70页
   ·总结第68-69页
   ·展望第69-70页
参考文献第70-75页
攻读硕士期间公开发表的论文第75-76页
致谢第76-78页

论文共78页,点击 下载论文
上一篇:电负性容性耦合等离子体诊断及材料表面处理
下一篇:表面三阶光学非线性测量技术的研究