中文摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
第一章 引言 | 第10-21页 |
·超导材料介绍 | 第10-13页 |
·氮化铌(NbN)薄膜的晶体结构和基本特性 | 第13-14页 |
·氮化钛(TiN)薄膜的晶体结构和基本特性 | 第14-15页 |
·NbN 薄膜的研究现状 | 第15-17页 |
·NbN 薄膜和 TiN 薄膜的制备方法 | 第17-19页 |
·研究内容和意义 | 第19-21页 |
·基片和过渡层的选择 | 第19-20页 |
·本文的研究内容 | 第20页 |
·本文的研究意义 | 第20-21页 |
第二章 薄膜的制备方法和表征原理 | 第21-33页 |
·薄膜的生长过程 | 第21-23页 |
·磁控溅射技术 | 第23-25页 |
·薄膜的分析表征方法 | 第25-33页 |
·X 射线衍射仪(XRD) | 第25-29页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第29-30页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
·台阶仪 | 第31页 |
·综合物性测量系统(PPMS) | 第31-33页 |
第三章 磁控溅射法制备 Si 基 TiN 薄膜及其性能表征 | 第33-52页 |
·实验方法 | 第33-35页 |
·直流磁控溅射设备 | 第33-34页 |
·实验的材料 | 第34-35页 |
·实验的步骤 | 第35页 |
·薄膜的制备 | 第35-37页 |
·基片的清洗 | 第35-36页 |
·TiN 薄膜的制备 | 第36-37页 |
·沉积时压强对 TiN 薄膜的结构和表面形貌的影响 | 第37-41页 |
·沉积时压强对 TiN 薄膜的结晶性能的影响 | 第38-39页 |
·沉积时压强对 TiN 薄膜的表面形貌的影响 | 第39-41页 |
·沉积时的氮氩比对 TiN 薄膜的结构和表面形貌的影响 | 第41-46页 |
·沉积时氮氩流量比对 TiN 薄膜的结晶性能的影响 | 第42-44页 |
·沉积时氮氩流量比对 TiN 薄膜的表面形貌的影响 | 第44-46页 |
·沉积功率对 TiN 薄膜的结构和表面形貌的影响 | 第46-50页 |
·沉积时的功率对 TiN 薄膜的结晶性能的影响 | 第47-48页 |
·沉积时的功率对 TiN 薄膜的薄膜形貌的影响 | 第48-50页 |
·小结 | 第50-52页 |
第四章 Si 基 TiN 过渡层对 NbN 薄膜结构和超导性能的影响 | 第52-68页 |
·实验方法和步骤 | 第52-56页 |
·实验结果和讨论 | 第56-67页 |
·XRD 测试结果 | 第57-59页 |
·PPMS 测试结果 | 第59页 |
·表面形貌测试结果 | 第59-61页 |
·TEM 测试结果 | 第61-65页 |
·TiN 薄膜的 R-T 曲线 | 第65-67页 |
·小结 | 第67-68页 |
第五章 总结和展望 | 第68-70页 |
·总结 | 第68-69页 |
·展望 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-75页 |
攻读硕士期间公开发表的论文 | 第75-76页 |
致谢 | 第76-78页 |