| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| ·碳化硅及氮化镓材料的发展及现状 | 第11-12页 |
| ·国内外碳化硅衬底氮化镓基LED的研究现状 | 第12-13页 |
| ·本论文的主要工作及内容安排 | 第13-15页 |
| 第二章 SiC衬底GaN基LED的理论分析 | 第15-28页 |
| ·SiC材料的基本特性 | 第15-17页 |
| ·SiC的同质多型晶体结构 | 第15-16页 |
| ·SiC的掺杂 | 第16-17页 |
| ·SiC的欧姆接触 | 第17页 |
| ·GaN基材料的基本特性 | 第17-22页 |
| ·GaN材料的基本性质 | 第17-19页 |
| ·AlGaN合金的基本性质 | 第19-20页 |
| ·InGaN合金的基本性质 | 第20-22页 |
| ·SiC衬底GaN基蓝光LED的基本结构及工作原理 | 第22-25页 |
| ·器件的基本结构 | 第22-23页 |
| ·器件的工作原理 | 第23-25页 |
| ·GaN基LED的光电特性 | 第25-28页 |
| ·LED的电学特性 | 第25-26页 |
| ·LED的光学特性 | 第26-28页 |
| 第三章 实现LED可制造性设计的仿真环境 | 第28-33页 |
| ·集成化虚拟设计平台Sentaurus WorkBench | 第28-30页 |
| ·仿真结果优化工具PCM Studio | 第30-33页 |
| 第四章 器件仿真的物理模型 | 第33-42页 |
| ·基本方程 | 第33-34页 |
| ·复合模型 | 第34-35页 |
| ·量子阱模型 | 第35-38页 |
| ·模型综述 | 第36页 |
| ·载流子在量子阱中的俘获 | 第36-37页 |
| ·量子阱散射模型 | 第37-38页 |
| ·光子循环模型 | 第38-39页 |
| ·光线追踪模型 | 第39-42页 |
| 第五章 SiC衬底GaN基蓝光LED的可制造性研究 | 第42-62页 |
| ·器件的工艺参数及TCAD仿真方案 | 第42-45页 |
| ·LED器件的仿真方案 | 第42-44页 |
| ·LED器件的结构仿真结果 | 第44-45页 |
| ·器件的可制造性设计及参数优化 | 第45-48页 |
| ·工艺参数对器件的物理特性的影响 | 第48-55页 |
| ·工艺参数的变化对光逸出效率的影响 | 第49-50页 |
| ·工艺参数的变化对波长的影响 | 第50-53页 |
| ·工艺参数的变化对输出光功率的影响 | 第53-54页 |
| ·工艺参数的变化对输出特性的影响 | 第54-55页 |
| ·结构参数对阈值电压Vt的优化组合DOE实验结果 | 第55-57页 |
| ·发光二极管的物理特性模拟结果 | 第57-62页 |
| 结束语 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第70页 |
