| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·研究背景简介 | 第10-12页 |
| ·国外薄膜电极测定金属离子的发展概况 | 第10-11页 |
| ·国内薄膜电极测定金属离子的发展概况 | 第11-12页 |
| ·电化学知识 | 第12页 |
| ·本论文的主要研究内容及步骤 | 第12-14页 |
| 第二章 金刚石薄膜电极 | 第14-19页 |
| ·金刚石简介 | 第14-17页 |
| ·金刚石的结构 | 第14-15页 |
| ·金刚石的性质及其应用 | 第15-16页 |
| ·金刚石薄膜器件的应用 | 第16-17页 |
| ·制备金刚石薄膜的常用方法 | 第17页 |
| ·掺硼金刚石薄膜 | 第17-19页 |
| ·金刚石薄膜的硼掺杂及其意义 | 第17-18页 |
| ·掺硼金刚石薄膜的用途 | 第18-19页 |
| 第三章 制备掺硼金刚石薄膜电极 | 第19-26页 |
| ·利用化学气相沉积制备金刚石薄膜的原理 | 第19页 |
| ·HFCVD 制备掺硼金刚石薄膜电极 | 第19-23页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第19-20页 |
| ·BDD 薄膜电极的预处理 | 第20页 |
| ·BDD 薄膜的生长过程 | 第20-21页 |
| ·掺硼金刚石薄膜沉积工艺参数 | 第21-22页 |
| ·BDD/Ta 电极的光学显微镜、SEM 和拉曼光谱表征分析 | 第22-23页 |
| ·制备条件对BDD 电极的影响 | 第23-25页 |
| ·衬底的选择与预处理 | 第23-24页 |
| ·硼源与碳源 | 第24页 |
| ·灯丝与衬底距离 | 第24页 |
| ·衬底表面温度 | 第24-25页 |
| ·氢气在丙酮中的流量 | 第25页 |
| ·金刚石薄膜电极的电化学特性 | 第25-26页 |
| ·宽的电化学窗口 | 第25页 |
| ·低的背景电流 | 第25页 |
| ·强抗电极表面玷污能力 | 第25-26页 |
| 第四章 壳聚糖修饰BDD 薄膜电极 | 第26-33页 |
| ·化学修饰技术概述及其重要性 | 第26页 |
| ·常用的化学修饰原料及化学修饰电极的种类 | 第26-27页 |
| ·壳聚糖修饰电极 | 第27-31页 |
| ·壳聚糖的来源及分类 | 第27页 |
| ·壳聚糖的性质及其结构 | 第27-28页 |
| ·壳聚糖的应用 | 第28-29页 |
| ·利用壳聚糖修饰BDD 薄膜电极的实验过程 | 第29页 |
| ·壳聚糖修饰BDD 薄膜电极的X 射线光电子能谱（XPS）分析 | 第29-31页 |
| ·化学修饰中溴素的引入 | 第31-33页 |
| ·溴素的性质 | 第31-32页 |
| ·引入溴素的目的 | 第32-33页 |
| 第五章 掺硼金刚石薄膜电极测定铜离子 | 第33-41页 |
| ·循环伏安法 | 第33-34页 |
| ·三电极体系 | 第34-35页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第35页 |
| ·铜离子的不同富集方式 | 第35页 |
| ·铜离子的测定方法 | 第35页 |
| ·循环伏安检测分析 | 第35-36页 |
| ·缓冲液的选择 | 第36-37页 |
| ·缓冲液PH 值的选择 | 第37-38页 |
| ·BDD 薄膜电极测定Cu~(2+)的线性范围和检出限 | 第38页 |
| ·干扰实验 | 第38页 |
| ·电极的再生与稳定性 | 第38-39页 |
| ·壳聚糖修饰BDD 薄膜电极测定铜离子的优点 | 第39-41页 |
| 第六章 掺硼金刚石薄膜电极测定磷酸氢根离子 | 第41-44页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第41页 |
| ·测定方法 | 第41页 |
| ·实验分析 | 第41-44页 |
| ·氧化峰电流与扫速的关系 | 第41-42页 |
| ·PH 条件对峰电流的影响 | 第42-43页 |
| ·BDD 薄膜电极测定 HPO_4~(2-)的线性范围和检出限 | 第43-44页 |
| 第七章 结论与展望 | 第44-46页 |
| ·实验结论 | 第44页 |
| ·传感器的发展前景 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
