| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-47页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·非挥发存储技术简介 | 第13-23页 |
| ·传统浮栅Flash存储技术 | 第14-16页 |
| ·分离电荷存储技术 | 第16-18页 |
| ·铁电随机存储技术(FeRAM) | 第18-19页 |
| ·磁阻型随机存储技术(MRAM) | 第19-21页 |
| ·相变随机存储技术(PRAM) | 第21-23页 |
| ·电阻型存储器(RRAM)研究概况 | 第23-39页 |
| ·RRAM阻变存储材料的研究 | 第23-24页 |
| ·RRAM器件的阻变行为分类 | 第24-25页 |
| ·RRAM器件研究中的主要参数 | 第25-27页 |
| ·RRAM的集成结构 | 第27-30页 |
| ·RRAM阻变存储机理 | 第30-36页 |
| ·RRAM器件中的导电机制 | 第36-39页 |
| ·选题意义及主要研究内容 | 第39-40页 |
| ·参考文献 | 第40-47页 |
| 第二章 薄膜淀积技术与实验样品测试方法 | 第47-65页 |
| ·原子层淀积技术介绍 | 第47-54页 |
| ·ALD技术回顾 | 第47页 |
| ·ALD原理与技术特点 | 第47-49页 |
| ·ALD生长模式 | 第49-50页 |
| ·ALD反应源 | 第50-52页 |
| ·ALD淀积金属氧化物 | 第52-54页 |
| ·其他薄膜淀积技术 | 第54-55页 |
| ·物理气相淀积(PVD) | 第54页 |
| ·化学气相淀积(CVD) | 第54页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第54-55页 |
| ·脉冲激光淀积法(PLD) | 第55页 |
| ·薄膜材料测试方法 | 第55-60页 |
| ·椭圆偏振光测量技术 | 第55-56页 |
| ·原子力显微技术 | 第56-57页 |
| ·X射线衍射分析 | 第57-58页 |
| ·X射线光电子能谱测试技术 | 第58-59页 |
| ·透射电子显微技术 | 第59-60页 |
| ·RRAM器件电学测试方法 | 第60-61页 |
| ·参考文献 | 第61-65页 |
| 第三章 二元金属氧化物RRAM阻变特性研究 | 第65-92页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·器件的制备工艺 | 第65-68页 |
| ·基于Nb_2O_5的RRAM器件 | 第68-72页 |
| ·原子层淀积Nb205薄膜 | 第68-69页 |
| ·Nb_2O_5薄膜材料特性研究 | 第69-70页 |
| ·基 Nb_2O_5薄膜的阻变特性研究 | 第70-72页 |
| ·基于La_2O_3的RRAM器件研究 | 第72-83页 |
| ·原子层淀积La_2O_3工艺 | 第73-75页 |
| ·PEALD生长La_2O_3薄膜的材料特性研究 | 第75-79页 |
| ·La_2O_3薄膜的电学特性 | 第79-83页 |
| ·基于HfO_2材料的RRAM器件研究 | 第83-84页 |
| ·二元金属氧化物的阻变机理 | 第84-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| ·参考文献 | 第89-92页 |
| 第四章 三元金属氧化物RRAM阻变特性研究 | 第92-107页 |
| ·引言 | 第92-93页 |
| ·基于ALD HfLaO阻变存储器研究 | 第93-98页 |
| ·样品制备工艺 | 第93页 |
| ·样品组分的XPS分析 | 第93-94页 |
| ·基于HfLaO阻变特性分析 | 第94-98页 |
| ·RRAM的阻变行为的关键温度区间 | 第98-104页 |
| ·样品制备工艺 | 第98页 |
| ·样品的材料分析 | 第98-99页 |
| ·样品的电学分析 | 第99-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| ·参考文献 | 第105-107页 |
| 第五章 堆栈结构金属氧化物RRAM器件研究 | 第107-127页 |
| ·引言 | 第107-108页 |
| ·堆栈结构的RRAM器件的设计研究 | 第108-114页 |
| ·基于Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3薄膜的RRAM器件 | 第108页 |
| ·NbAlO薄膜的组分分析 | 第108-109页 |
| ·基于Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3薄膜的RRAM阻变Ⅳ曲线分析 | 第109-111页 |
| ·忆阻器的电学特性 | 第111-113页 |
| ·Al_2O_3缓冲层薄膜嵌入前后的NbAlO基RRAM阻变性能比较 | 第113-114页 |
| ·TaN/Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3/Pt器件的多值存储特性研究 | 第114-117页 |
| ·具有电场调制效应的叠层介质结构的RRAM特性研究 | 第117-124页 |
| ·TaN/Al_2O_3/NiO/Al_2O_3/Pt RRAM器件制备与阻变特性 | 第117-119页 |
| ·TaN/Al_2O_3/ZnO/Al_2O_3/Pt RRAM器件制备与阻变特性 | 第119-120页 |
| ·TaN/Al_2O_3/Pt RRAM器件阻变特性 | 第120页 |
| ·三种叠层结构RRAM器件阻变特性对比统计 | 第120-122页 |
| ·叠层结构RRAM器件阻变特性的模拟 | 第122-124页 |
| ·本章小结 | 第124-125页 |
| ·参考文献 | 第125-127页 |
| 第六章 嵌入纳米晶型金属氧化物RRAM器件研究 | 第127-136页 |
| ·引言 | 第127-128页 |
| ·样品制备工艺 | 第128-129页 |
| ·样品的AFM表征 | 第129-130页 |
| ·TaN/Al_2O_3:RuNCs:Al_2O_3/Pt器件的阻变特性研究 | 第130-133页 |
| ·本章小结 | 第133页 |
| ·参考文献 | 第133-136页 |
| 第七章 全文结论 | 第136-138页 |
| 攻读博士学位期间发表和待发表的学术成果 | 第138-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |
