首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--发光器件论文

硅基顶发射有机电致发光器件的研究

第一章 有机电致发光器件的发展,应用及原理第1-42页
   ·电子显示技术和有机电致发光显示第10-20页
     ·电子显示技术的发展历史及分类第10-11页
     ·人眼的视觉特性和光度学的几个重要物理量第11-15页
     ·有机发光的研究历史与现状第15-16页
     ·有机电致发光显示屏的种类和制作技术第16-18页
     ·有机电致发光显示屏的产业化现状及其发展前景第18-20页
   ·有机电致发光器件的原理和特性第20-32页
     ·电致发光原理第20-23页
     ·用于制作有机电致发光器件的材料第23-26页
     ·常见的器件结构第26-28页
     ·效率的定义、测量和提高途径第28-30页
     ·有机电致发光器件的稳定性问题第30-32页
   ·本论文主要工作第32-34页
 参考文献第34-42页
第二章 硅基顶发射有机电致发光器件的研制第42-111页
   ·利用空穴注入层降低有机电致发光器件的开启电压第42-51页
     ·降低器件开启电压研究的基本介绍第42-43页
     ·实验设备,器件结构以及样品的制备第43-45页
     ·器件的光电特性分析第45-51页
     ·小结第51页
   ·顶发射器件的半透明阴极第51-60页
     ·电子注入层的确定第51-55页
     ·半透明阴极的确定第55-59页
     ·小结第59-60页
   ·Au为阳极的硅基顶发射有机电致发光器件的制作第60-64页
     ·样品的制备及器件的结构第60-61页
     ·器件的光电特性分析第61-64页
     ·小结第64页
   ·Ag为阳极的硅基顶发射有机电致发光器件的制作第64-71页
     ·Ag的紫外臭氧表面修饰第64-65页
     ·经表面修饰的Ag作为阳极的硅基顶发射器件的制备第65-68页
     ·硅基顶发射器件的光电特性分析第68-70页
     ·小结第70-71页
   ·以超薄层染料作为发光层的硅基顶发射器件第71-81页
     ·Rubrene 掺杂器件和 Rubrene 超薄层的发光机理第71-72页
     ·QAD 超薄层的发光机理第72-73页
     ·基于 Rubrene 超薄层的硅基顶发射器件第73-77页
     ·基于 QAD 超薄层的硅基顶发射器件第77-80页
     ·小结第80-81页
   ·利用双异质结结构提高顶发射器件的亮度和效率第81-88页
     ·双异质结结构介绍第81-82页
     ·双异质结结构硅基顶发射器件的制备第82-85页
     ·双异质结结构硅基顶发射器件的光电特性第85-88页
     ·小结第88页
   ·利用微腔效应提高硅基顶发射器件的亮度和效率第88-101页
     ·有机微腔电致发光器件第88-90页
     ·硅基顶发射器件中的微腔效应第90-101页
     ·小结第101页
   ·结论第101-102页
 参考文献第102-111页
第三章 利用 Alq 增透膜提高半透明阴极的透射率.第111-136页
   ·薄膜的特征矩阵第111-122页
     ·光学导纳第111-113页
     ·修正光学导纳第113-114页
     ·一般膜层系统特征矩阵的理论推导第114-122页
   ·Alq 作增透膜的半透明阴极的透射率的计算第122-134页
     ·一般膜层系统的反射率和透射率的计算第122-125页
     ·实验中采用的多层膜系的透射率计算第125-134页
   ·结论第134-135页
 参考文献第135-136页
第四章 32×24 硅基无源单色有机发光显示屏的制备第136-148页
   ·32×24 硅基无源矩阵第136-142页
     ·2×2 硅基顶发射矩阵的制备第136-138页
     ·32×24 矩阵的具体制备工艺第138-142页
   ·分辨率为6 个像素/毫米的硅基单色无源显示屏的制备第142-146页
     ·显示屏的制备和单个像素的器件结构第142-143页
     ·无源矩阵显示屏与外部驱动电路的连接第143-146页
   ·结论第146-147页
 参考文献第147-148页
致谢第148-149页
在国内外刊物上发表的文章第149-152页
中文摘要第152-156页
英文摘要第156-159页

论文共66页,点击 下载论文
上一篇:连续交互媒体一致性控制的若干问题研究
下一篇:多核嵌入式系统的实时性研究