第一章 有机电致发光器件的发展,应用及原理 | 第1-42页 |
·电子显示技术和有机电致发光显示 | 第10-20页 |
·电子显示技术的发展历史及分类 | 第10-11页 |
·人眼的视觉特性和光度学的几个重要物理量 | 第11-15页 |
·有机发光的研究历史与现状 | 第15-16页 |
·有机电致发光显示屏的种类和制作技术 | 第16-18页 |
·有机电致发光显示屏的产业化现状及其发展前景 | 第18-20页 |
·有机电致发光器件的原理和特性 | 第20-32页 |
·电致发光原理 | 第20-23页 |
·用于制作有机电致发光器件的材料 | 第23-26页 |
·常见的器件结构 | 第26-28页 |
·效率的定义、测量和提高途径 | 第28-30页 |
·有机电致发光器件的稳定性问题 | 第30-32页 |
·本论文主要工作 | 第32-34页 |
参考文献 | 第34-42页 |
第二章 硅基顶发射有机电致发光器件的研制 | 第42-111页 |
·利用空穴注入层降低有机电致发光器件的开启电压 | 第42-51页 |
·降低器件开启电压研究的基本介绍 | 第42-43页 |
·实验设备,器件结构以及样品的制备 | 第43-45页 |
·器件的光电特性分析 | 第45-51页 |
·小结 | 第51页 |
·顶发射器件的半透明阴极 | 第51-60页 |
·电子注入层的确定 | 第51-55页 |
·半透明阴极的确定 | 第55-59页 |
·小结 | 第59-60页 |
·Au为阳极的硅基顶发射有机电致发光器件的制作 | 第60-64页 |
·样品的制备及器件的结构 | 第60-61页 |
·器件的光电特性分析 | 第61-64页 |
·小结 | 第64页 |
·Ag为阳极的硅基顶发射有机电致发光器件的制作 | 第64-71页 |
·Ag的紫外臭氧表面修饰 | 第64-65页 |
·经表面修饰的Ag作为阳极的硅基顶发射器件的制备 | 第65-68页 |
·硅基顶发射器件的光电特性分析 | 第68-70页 |
·小结 | 第70-71页 |
·以超薄层染料作为发光层的硅基顶发射器件 | 第71-81页 |
·Rubrene 掺杂器件和 Rubrene 超薄层的发光机理 | 第71-72页 |
·QAD 超薄层的发光机理 | 第72-73页 |
·基于 Rubrene 超薄层的硅基顶发射器件 | 第73-77页 |
·基于 QAD 超薄层的硅基顶发射器件 | 第77-80页 |
·小结 | 第80-81页 |
·利用双异质结结构提高顶发射器件的亮度和效率 | 第81-88页 |
·双异质结结构介绍 | 第81-82页 |
·双异质结结构硅基顶发射器件的制备 | 第82-85页 |
·双异质结结构硅基顶发射器件的光电特性 | 第85-88页 |
·小结 | 第88页 |
·利用微腔效应提高硅基顶发射器件的亮度和效率 | 第88-101页 |
·有机微腔电致发光器件 | 第88-90页 |
·硅基顶发射器件中的微腔效应 | 第90-101页 |
·小结 | 第101页 |
·结论 | 第101-102页 |
参考文献 | 第102-111页 |
第三章 利用 Alq 增透膜提高半透明阴极的透射率. | 第111-136页 |
·薄膜的特征矩阵 | 第111-122页 |
·光学导纳 | 第111-113页 |
·修正光学导纳 | 第113-114页 |
·一般膜层系统特征矩阵的理论推导 | 第114-122页 |
·Alq 作增透膜的半透明阴极的透射率的计算 | 第122-134页 |
·一般膜层系统的反射率和透射率的计算 | 第122-125页 |
·实验中采用的多层膜系的透射率计算 | 第125-134页 |
·结论 | 第134-135页 |
参考文献 | 第135-136页 |
第四章 32×24 硅基无源单色有机发光显示屏的制备 | 第136-148页 |
·32×24 硅基无源矩阵 | 第136-142页 |
·2×2 硅基顶发射矩阵的制备 | 第136-138页 |
·32×24 矩阵的具体制备工艺 | 第138-142页 |
·分辨率为6 个像素/毫米的硅基单色无源显示屏的制备 | 第142-146页 |
·显示屏的制备和单个像素的器件结构 | 第142-143页 |
·无源矩阵显示屏与外部驱动电路的连接 | 第143-146页 |
·结论 | 第146-147页 |
参考文献 | 第147-148页 |
致谢 | 第148-149页 |
在国内外刊物上发表的文章 | 第149-152页 |
中文摘要 | 第152-156页 |
英文摘要 | 第156-159页 |