电子碰撞原子内壳层电离截面的实验研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 1.引言 | 第11-23页 |
| ·电子碰撞原子内壳层电离截面测量研究的意义 | 第12-15页 |
| ·电子碰撞原子内壳层电离截面研究的历史及现状 | 第15-21页 |
| ·开展本课题研究的目的 | 第21-23页 |
| 2.电子碰撞原子内壳层电离截面的理论描述 | 第23-36页 |
| ·经典理论 | 第23页 |
| ·量子理论 | 第23-33页 |
| ·经验公式 | 第33-36页 |
| 3.电子-光子Monte Carlo模拟 | 第36-48页 |
| ·电子-光子Monte Carlo模拟的基本思想 | 第36-37页 |
| ·Monte Carlo方法的收敛性和误差 | 第37-41页 |
| ·收敛性 | 第37页 |
| ·误差 | 第37-38页 |
| ·减少方差的方法 | 第38-40页 |
| ·效果评价 | 第40-41页 |
| ·Monte Carlo模拟的特点 | 第41-43页 |
| ·PENELOPE程序介绍 | 第43-44页 |
| ·PENELOPE计算模拟的实现 | 第44-48页 |
| 4.实验方法 | 第48-61页 |
| ·电子碰撞原子内壳层电离截面的实验装置 | 第48-49页 |
| ·卢瑟福背散射实验装置 | 第49-50页 |
| ·实验条件 | 第50-61页 |
| ·靶的制作及存贮 | 第50-55页 |
| ·靶的结构 | 第50页 |
| ·靶的制作技术 | 第50-53页 |
| ·靶性能的检验 | 第53-54页 |
| ·靶的存贮 | 第54-55页 |
| ·探测系统的线性 | 第55-59页 |
| ·Si(Li)探测系统的能量刻度 | 第55-56页 |
| ·加速器能量刻度 | 第56-59页 |
| ·束流积分仪的线性 | 第59-60页 |
| ·束流强度控制 | 第60-61页 |
| 5.数据处理 | 第61-89页 |
| ·特征峰净计数的获取 | 第61-66页 |
| ·法拉第筒中电子逃逸率计算 | 第66-71页 |
| ·靶膜厚度的检测 | 第71-72页 |
| ·Si(Li)探测器的效率刻度 | 第72-78页 |
| ·修正计算 | 第78-87页 |
| ·解析(半解析)算法 | 第78-80页 |
| ·完全Monte Carlo模拟算法 | 第80-87页 |
| ·误差分析 | 第87-89页 |
| 6.结果与讨论 | 第89-115页 |
| ·较低Z元素K壳层电离截面测量结果及分析 | 第89-95页 |
| ·中、高Z元素L壳层电离截面测量结果及分析 | 第95-111页 |
| ·高Z元素M壳层电离截面测量结果 | 第111-115页 |
| 7.电子碰撞原子内壳层电离截面测量厚靶方法的探讨 | 第115-126页 |
| ·方法介绍 | 第115-116页 |
| ·韧致辐射及电子散射引起的修正计算 | 第116-122页 |
| ·应用举例 | 第122-124页 |
| ·误差分析 | 第124-126页 |
| 8.结束语 | 第126-127页 |
| 参考文献 | 第127-133页 |
| 附录 | 第133-135页 |
| 致谢 | 第135页 |
