不同衬底条件对MEMS压阻传感器性能影响的研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-10页 |
| ·MEMS 传感器的发展和现状 | 第6-7页 |
| ·压阻式传感器 | 第7-8页 |
| ·项目背景 | 第8页 |
| ·本文的组织结构 | 第8-10页 |
| 第二章 压阻式传感器的原理 | 第10-22页 |
| ·硅的压阻特性 | 第10-17页 |
| ·流体静压对电导率的影响 | 第10-12页 |
| ·单轴应力下压阻效应 | 第12-14页 |
| ·硅的压阻系数 | 第14-16页 |
| ·扩散硅的压阻效应 | 第16-17页 |
| ·压阻式加速度计 | 第17-19页 |
| ·加速度计的工作原理 | 第17-18页 |
| ·压阻式加速度计的结构 | 第18-19页 |
| ·测量电桥 | 第19-21页 |
| ·直流电桥的工作原理 | 第19-21页 |
| ·直流电桥的工作特性 | 第21页 |
| ·本章小节 | 第21-22页 |
| 第三章 传感器的设计和仿真 | 第22-37页 |
| ·设计原理 | 第22-23页 |
| ·结构仿真 | 第23-31页 |
| ·梁薄膜结构 | 第24-29页 |
| ·传感器受力分析 | 第29-31页 |
| ·电阻条的参数及结构 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32页 |
| 附录ansys 程序文件 | 第32-37页 |
| 第四章 工艺流程 | 第37-43页 |
| ·工艺流程的制定 | 第37-38页 |
| ·主要工艺流程 | 第38-43页 |
| ·压阻工艺 | 第39页 |
| ·P~+引出区 | 第39页 |
| ·N~+保护框 | 第39-40页 |
| ·背腔的形成 | 第40-41页 |
| ·梁和质量块 | 第41页 |
| ·键合 | 第41页 |
| ·划片 | 第41-43页 |
| 第五章 封装与测试 | 第43-49页 |
| ·封装 | 第43-44页 |
| ·实验测试 | 第44-48页 |
| ·方块电阻测试 | 第44-46页 |
| ·初步测试 | 第46-47页 |
| ·冲击实验 | 第47-48页 |
| ·本章小节 | 第48-49页 |
| 第六章 总结与展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
