| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-27页 |
| ·课题背景及意义 | 第9-10页 |
| ·太阳电池工作原理 | 第10-11页 |
| ·砷化镓太阳电池的特点 | 第11-12页 |
| ·砷化镓太阳电池的研究进展 | 第12-16页 |
| ·砷化镓太阳电池的制造工艺 | 第12-13页 |
| ·砷化镓太阳电池的结构 | 第13-16页 |
| ·太阳电池辐照损伤的研究进展 | 第16-17页 |
| ·太阳电池暗特性研究 | 第17-22页 |
| ·暗电流的来源 | 第17-19页 |
| ·暗特性等效电路 | 第19-22页 |
| ·砷化镓太阳电池退火的研究 | 第22-25页 |
| ·本课题研究内容 | 第25-27页 |
| 第2章 试验材料及方法 | 第27-34页 |
| ·砷化镓太阳电池结构 | 第27-28页 |
| ·单结GaAs/Ge 太阳电池 | 第27页 |
| ·三结 Ga_(0.5)In_(0.5)P/GaAs/ Ge 太阳电池 | 第27-28页 |
| ·辐照设备及参数 | 第28-30页 |
| ·辐照设备 | 第28-29页 |
| ·辐照参数 | 第29-30页 |
| ·电学性能测量特性测量 | 第30-31页 |
| ·退火设备及工艺参数 | 第31-34页 |
| ·退火设备 | 第31页 |
| ·退火工艺参数 | 第31-34页 |
| 第3章 暗特性分析及辐照对其参数的影响 | 第34-50页 |
| ·暗特性分析方法 | 第34-37页 |
| ·低能质子辐照对单结GaAs 太阳电池后暗特性影响 | 第37-42页 |
| ·高能电子辐照对单结GaAs 太阳电池后暗特性影响 | 第42-46页 |
| ·高能电子辐照对三结砷化镓太阳电池暗特性影响 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 带电粒子辐照后砷化镓太阳电池退火效应 | 第50-70页 |
| ·单结砷化镓电池低能质子辐照后退火效应 | 第50-58页 |
| ·单结砷化镓低能质子辐照效应 | 第50-51页 |
| ·单结砷化镓太阳电池退火时间效应 | 第51-54页 |
| ·不同温度退火效应结果 | 第54-57页 |
| ·低能质子辐照单结砷化镓太阳电池的退火效应暗特性分析 | 第57-58页 |
| ·三结砷化镓电池低能质子辐照后退火效应 | 第58-64页 |
| ·三结砷化镓低能质子辐照效应 | 第58-59页 |
| ·三结砷化镓太阳电池退火时间效应 | 第59-62页 |
| ·三结砷化镓太阳电池退火温度效应 | 第62-63页 |
| ·低能质子辐照三结砷化镓太阳电池的退火效应暗特性分析 | 第63-64页 |
| ·砷化镓太阳电池高能电子辐照后退火效应 | 第64-69页 |
| ·单结砷化镓高能电子辐照后退火效应 | 第64-66页 |
| ·三结砷化镓高能电子辐照后退火效应 | 第66-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
