过渡层对热丝法低温制备多晶硅薄膜的影响
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| ·太阳能光伏发电 | 第9-11页 |
| ·太阳能光伏产业的发展与现状 | 第11-12页 |
| ·太阳能电池的研究概况 | 第12-16页 |
| ·体硅太阳电池 | 第12-13页 |
| ·薄膜太阳电池 | 第13-15页 |
| ·多晶硅(Poly-Si)薄膜太阳电池 | 第15-16页 |
| ·多晶硅薄膜太阳电池的研究开发 | 第16-22页 |
| ·多晶硅薄膜的制备方法 | 第16-19页 |
| ·多晶硅薄膜太阳电池制备的相关工艺 | 第19页 |
| ·多晶硅薄膜太阳电池研究的技术路线 | 第19-20页 |
| ·多晶硅薄膜电池制备中的关键问题 | 第20-21页 |
| ·多晶硅薄膜太阳电池的发展趋势和应用前景 | 第21-22页 |
| 2 热丝CVD实验装置及反应机制 | 第22-27页 |
| ·热丝化学气相沉积多晶硅薄膜实验装置 | 第22-23页 |
| ·真空系统装置 | 第22-23页 |
| ·其它系统装置 | 第23页 |
| ·热丝化学气相沉积多晶硅薄膜的反应机制 | 第23-24页 |
| ·实验条件及工艺参数对多晶硅薄膜的影响 | 第24-26页 |
| ·本文的研究目的及内容 | 第26-27页 |
| 3 多晶硅薄膜制备与表征 | 第27-33页 |
| ·多晶硅薄膜制备 | 第27-29页 |
| ·工艺流程 | 第27-28页 |
| ·工艺参数 | 第28-29页 |
| ·多晶硅薄膜表征 | 第29-33页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第29页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第29-30页 |
| ·Raman光谱散射 | 第30-31页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第31页 |
| ·电子显微探针分析(EPMA) | 第31-32页 |
| ·膜厚测量仪 | 第32-33页 |
| 4 镀银玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜 | 第33-47页 |
| ·不同热丝/衬底间距下多晶硅薄膜样品的制备与分析 | 第33-41页 |
| ·XRD的观察结果及讨论 | 第33-35页 |
| ·SEM的观察结果及讨论 | 第35-38页 |
| ·Raman的观察结果及讨论 | 第38-41页 |
| ·过渡层厚度对多晶硅薄膜样品的影响 | 第41-45页 |
| ·多晶硅薄膜在不同厚度过渡层上的制备 | 第41页 |
| ·结果及讨论 | 第41-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 5 镀铜玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜 | 第47-63页 |
| ·不同热丝/衬底间距下多晶硅薄膜样品的制备与分析 | 第47页 |
| ·XRD的观察结果与讨论 | 第47-51页 |
| ·SEM的观察结果与讨论 | 第51-56页 |
| ·Raman的观察结果与讨论 | 第56-59页 |
| ·EPMA的观察结果与讨论 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
