| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-25页 |
| ·Zr的水溶液化学 | 第13-14页 |
| ·Zr的放化分离研究 | 第14-22页 |
| ·沉淀法 | 第14页 |
| ·萃取法 | 第14-18页 |
| ·TBP萃取 | 第14-16页 |
| ·TTA萃取 | 第16-17页 |
| ·TOA萃取 | 第17页 |
| ·BPHA萃取 | 第17-18页 |
| ·PMBP萃取 | 第18页 |
| ·离子交换法 | 第18-19页 |
| ·萃取色层法 | 第19-20页 |
| ·电泳法 | 第20页 |
| ·硅胶吸附法 | 第20-22页 |
| ·~(93)Zr放射性活度测量 | 第22页 |
| ·~(93)Zr原子数测量 | 第22-23页 |
| ·主要研究内容 | 第23-24页 |
| ·预期目标 | 第24-25页 |
| 第二章 ~(93)Zr的放化分离方法研究 | 第25-44页 |
| ·分离流程的初步设计 | 第25-26页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第26-27页 |
| ·实验仪器 | 第26页 |
| ·试剂 | 第26-27页 |
| ·分离条件实验 | 第27-44页 |
| ·硅胶柱的准备 | 第27页 |
| ·Zr的分析测定方法建立 | 第27-29页 |
| ·分光光度法测量Zr的波长的选择 | 第28页 |
| ·标准曲线 | 第28-29页 |
| ·分析方法的确立 | 第29页 |
| ·Zr在硅胶柱上吸附行为研究 | 第29-37页 |
| ·mg量级以上的吸附行为研究 | 第29-30页 |
| ·mg量级以下的吸附行为研究 | 第30-31页 |
| ·柱分离条件研究 | 第31-32页 |
| ·洗涤液HNO_3浓度的选择 | 第32-33页 |
| ·干扰核素的去污研究 | 第33-37页 |
| ·介质转换研究 | 第37-40页 |
| ·萃取实验 | 第37-39页 |
| ·反萃实验 | 第39-40页 |
| ·推荐流程 | 第40页 |
| ·流程的验证及~(93)Zr产品纯度的鉴定 | 第40-43页 |
| ·化学收率 | 第40-41页 |
| ·元件溶解液的流程验证 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第三章 ~(93)Zr放射性活度的测量 | 第44-59页 |
| ·前言 | 第44-49页 |
| ·液体闪烁谱仪的工作原理 | 第44-46页 |
| ·淬灭-液闪谱仪测量的影响因素 | 第46-47页 |
| ·淬灭校正以及效率刻度 | 第47-49页 |
| ·~(93)Zr放射性活度测量研究 | 第49-57页 |
| ·主要仪器和试剂 | 第49-50页 |
| ·实验仪器 | 第49页 |
| ·试剂 | 第49-50页 |
| ·~(93)Zr活度测量的影响 | 第50-57页 |
| ·闪烁液的选择 | 第50-52页 |
| ·闪烁液的水溶性 | 第51页 |
| ·酸度对闪烁液的影响 | 第51-52页 |
| ·总体积对效率的影响 | 第52-53页 |
| ·探测效率 | 第53-55页 |
| ·样品的处理及真实样品的测量 | 第55页 |
| ·样品纯度鉴定 | 第55-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第四章 ~(93)Zr的原子数的测量研究 | 第59-76页 |
| ·前言 | 第59-68页 |
| ·多接收电感耦合等离子体质谱仪(MC-ICP-MS)工作原理 | 第60-65页 |
| ·离子源 | 第61-62页 |
| ·六级杆碰撞池 | 第62-63页 |
| ·离子透镜区 | 第63-64页 |
| ·质量分析器 | 第64页 |
| ·离子探测系统 | 第64-65页 |
| ·质谱的干扰及其校正 | 第65-68页 |
| ·质谱干扰 | 第65-66页 |
| ·非质谱干扰 | 第66-67页 |
| ·其他因素 | 第67页 |
| ·系统偏差的校正方法 | 第67-68页 |
| ·定量问题 | 第68页 |
| ·测量方法研究 | 第68-72页 |
| ·标准溶液的配制 | 第68-69页 |
| ·MC-ICP-MS测量条件的优化 | 第69-70页 |
| ·Zr的工作曲线 | 第70-71页 |
| ·Zr标准溶液的测量数据及工作曲线 | 第70-71页 |
| ·~(93)Zr的测量及原子数的计算 | 第71-72页 |
| ·~(93)Zr的半衰期估算 | 第72-73页 |
| ·半衰期估算 | 第73页 |
| ·误差来源分析 | 第73页 |
| ·小结 | 第73页 |
| ·小结 | 第73-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80页 |