| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-12页 |
| 1 射频等离子体基片偏压及模式跳变研究背景及现状 | 第9-11页 |
| 2 本课题的提出及意义 | 第11-12页 |
| 1 模式转化以及射频基片调谐自偏压的研究进展 | 第12-21页 |
| ·E-H转化的研究进展 | 第12-13页 |
| ·射频基片调谐自偏压的研究进展 | 第13-21页 |
| ·国外的研究进展 | 第13-14页 |
| ·国内的研究进展 | 第14-21页 |
| 2 实验系统介绍 | 第21-30页 |
| ·实验装置 | 第21-23页 |
| ·实验诊断装置及改进 | 第23-30页 |
| ·放电装置的改进 | 第23-24页 |
| ·等离子体净吸收功率 | 第24-25页 |
| ·Z-Scan测量系统的介绍 | 第25-26页 |
| ·Smith圆图原理的介绍 | 第26-30页 |
| 3 实验结果 | 第30-70页 |
| ·射频感应耦合等离子体放电模式转化的特性研究 | 第30-58页 |
| ·匹配网络对模式转化放电特性的影响 | 第30-39页 |
| ·导电地的影响 | 第39-42页 |
| ·天线耦合强度的影响 | 第42-43页 |
| ·气压的影响 | 第43-50页 |
| ·放电中受迫振荡的非线性特性研究 | 第50-58页 |
| ·射频ICP基片调谐自偏压特性研究 | 第58-70页 |
| ·基片调谐自偏压的第二连续区 | 第58-63页 |
| ·不同等离子体放电区域内基片调谐自偏压的性质 | 第63-66页 |
| ·自振荡区内基片调谐自偏压调谐过程中的非线性特性 | 第66-67页 |
| ·受迫振荡下等离子体吸收功率和射频源栅极高压的变化 | 第67-70页 |
| 结论 | 第70-73页 |
| ·论文总结 | 第70-71页 |
| ·对今后工作的建议 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |