| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-22页 |
| ·SiC 材料和器件的发展 | 第13-17页 |
| ·SiC 材料的优势 | 第13-14页 |
| ·SiC 材料、工艺、器件的研究 | 第14-17页 |
| ·SiC 材料欧姆接触的研究现状及存在的问题 | 第17-20页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第20-22页 |
| 第二章 欧姆接触理论 | 第22-31页 |
| ·金属-半导体接触理论 | 第22-28页 |
| ·肖特基势垒高度 | 第23-24页 |
| ·钉扎(Pinned)现象 | 第24-25页 |
| ·载流子的输运过程 | 第25-26页 |
| ·载流子的输运方程 | 第26-27页 |
| ·比接触电阻ρ_c | 第27-28页 |
| ·欧姆接触比接触电阻ρ_c 的测试 | 第28-30页 |
| ·常用的比接触电阻ρ_c 测试方法 | 第28-29页 |
| ·本文采用的比接触电阻ρ_c 测试方法 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 SiC 欧姆接触中的离子注入重掺杂 | 第31-54页 |
| ·SiC 材料离子注入的特性 | 第31-39页 |
| ·工艺优势 | 第31-32页 |
| ·管道效应 | 第32-34页 |
| ·浓度分布 | 第34-36页 |
| ·缺陷产生 | 第36页 |
| ·杂质选择 | 第36-37页 |
| ·高温注入及高温退火 | 第37-38页 |
| ·退火掩膜（密封剂） | 第38-39页 |
| ·离子注入及高温退火工艺的优化设计 | 第39-45页 |
| ·离子注入实验工艺流程 | 第39-41页 |
| ·离子注入的能量和剂量设计 | 第41-43页 |
| ·离子注入和退火的实验与测试 | 第43-45页 |
| ·退火掩膜（密封剂）的研究 | 第45-53页 |
| ·采用C 作为退火掩膜的工艺过程 | 第45-46页 |
| ·采用C 掩膜的注入后退火 | 第46-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 N 型SiC 材料Ni 基欧姆接触的研究 | 第54-76页 |
| ·N 型SiC 材料Ni 基欧姆接触的研究现状 | 第54-56页 |
| ·N 型SiC 材料Ni 基欧姆接触机理 | 第56-61页 |
| ·SiC 中C 空位（V_c）及Si 空位（V_(Si)）的作用 | 第56-57页 |
| ·C 空位（V_c）在欧姆接触形成过程中作用的验证实验 | 第57-61页 |
| ·N 型SiC 材料Ni 基欧姆接触能带模型及工艺改进 | 第61-69页 |
| ·能带结构图及比接触电阻构成 | 第61-63页 |
| ·基于实验结果利用能带模型对工艺条件的讨论 | 第63-64页 |
| ·基于能带模型使用Ni 硅化物制作n 型SiC 欧姆接触 | 第64-69页 |
| ·求解比接触电阻的公式修正 | 第69-74页 |
| ·隧穿几率的求解 | 第69-72页 |
| ·比接触电阻ρ_c 的求解 | 第72-73页 |
| ·比接触电阻的提取结果和实验结果的对比 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 欧姆接触界面中间层作用研究 | 第76-93页 |
| ·三元化合物Ti_3SiC_2 的特性及在SiC 欧姆接触中的作用 | 第76-83页 |
| ·三元化合物Ti_3SiC_2 的特性及其在p 型SiC 欧姆接触中的作用 | 第77-80页 |
| ·三元化合物Ti_3SiC_2 在n 型SiC 欧姆接触中的作用及实验验证 | 第80-83页 |
| ·欧姆接触的界面梯度势垒模型及SiC：Ge 应用 | 第83-87页 |
| ·欧姆接触界面梯度势垒模型及SiC：Ge 的材料特性 | 第83-85页 |
| ·利用SiC：Ge 形成SiC 欧姆接触中间层 | 第85-87页 |
| ·多晶硅/SiC 异质接触的研究 | 第87-92页 |
| ·n~+多晶硅/N-SiC 异质结的基本理论 | 第87-90页 |
| ·使用n~+多晶硅形成n 型SiC 欧姆接触的实验 | 第90-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 第六章 研究总结 | 第93-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-113页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研项目及完成的学术论文 | 第113-114页 |
