基于802.11a/b/gCMOS双频段低噪声放大器的研究与设计
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 图目录 | 第10-12页 |
| 第1章 前言 | 第12-20页 |
| ·研究背景 | 第12页 |
| ·-GHz和5-GHz频段的无线局域网标准 | 第12页 |
| ·IEEE 802.11b | 第12-14页 |
| ·IEEE 802.11a | 第14-17页 |
| ·IEEE 802.11g | 第17页 |
| ·蓝牙(Bluetooth)规范 | 第17页 |
| ·HomeRF | 第17页 |
| ·HIPERLAN/2 | 第17-18页 |
| ·无线局域网芯片设计挑战 | 第18页 |
| ·论文的主要工作与安排 | 第18-20页 |
| 第2章 射频接收机前端及低噪声放大器 | 第20-31页 |
| ·射频接收机前端结构 | 第20-25页 |
| ·镜像抑制 | 第20-21页 |
| ·几种镜像抑制结构 | 第21-25页 |
| ·射频接收机性能指标 | 第25-31页 |
| ·接收机的噪声 | 第25-26页 |
| ·接收机的线性度 | 第26-28页 |
| ·低噪声放大器所需要达到的指标 | 第28-31页 |
| 第3章 噪声分析 | 第31-40页 |
| ·噪声分析理论基础 | 第31页 |
| ·MOSFET中的噪声 | 第31-32页 |
| ·MOSFET噪声参数的推导 | 第32-39页 |
| ·经典两端口网络噪声理论 | 第32-36页 |
| ·MOSFET两端口网络噪声参数的推导 | 第36-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第4章 片上电感的研究与建模 | 第40-52页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·片上电感的分析与建模 | 第40-50页 |
| ·小结 | 第50-52页 |
| 第5章 CMOS双频段低噪声放大器设计 | 第52-69页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·低噪声放大器结构的选择 | 第52-56页 |
| ·噪声匹配与增益匹配 | 第56-58页 |
| ·噪声阻抗与输入阻抗同时匹配 | 第56-58页 |
| ·HJTC 0.18μm RFCMOS工艺 | 第58-59页 |
| ·频段切换技术 | 第59-64页 |
| ·双频段切换低噪声放大器的设计 | 第64-68页 |
| ·电路原理图 | 第64-66页 |
| ·电路仿真结果 | 第66-68页 |
| ·版图设计 | 第68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 第6章 芯片测试与结果分析 | 第69-72页 |
| ·测试平台 | 第69-70页 |
| ·结果分析 | 第70-71页 |
| ·小结 | 第71-72页 |
| 第7章 总结与展望 | 第72-74页 |
| ·总结 | 第72-73页 |
| ·展望 | 第73-74页 |
| ·实现低噪声放大器多频段覆盖 | 第73页 |
| ·设计改进 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 缩语表 | 第78-79页 |
| 攻读硕士学位期间的专利申请与论文发表情况 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
