强介电材料Si-MOS电容特性和光电性质研究
| 论文摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| ·介电材料概述 | 第12-14页 |
| ·强介电材料概述 | 第14-17页 |
| ·强介电材料Si-MOS研究背景及其现状 | 第17-21页 |
| ·强介电材料光电性质研究背景及其现状 | 第21-23页 |
| ·本文的研究内容 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 强介电材料薄膜的制备方法及其特点 | 第27-39页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·薄膜制备方法概述 | 第27-30页 |
| ·溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜 | 第30-33页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)制备SBTN铁电薄膜 | 第33-36页 |
| ·退火和热处理 | 第36页 |
| 小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 PZT薄膜Si-MOS电容特性研究 | 第39-56页 |
| ·PZT薄膜的制备 | 第39-42页 |
| ·PZT薄膜微结构分析 | 第42-46页 |
| ·Si-MOS电容结构的介电特性 | 第46-48页 |
| ·Si-MOS电容结构的电流-电压特性 | 第48-53页 |
| 小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第四章 强介电材料SBTN的制备及其光学性质研究 | 第56-73页 |
| ·SBTN薄膜的制备 | 第56-57页 |
| ·SBTN薄膜的表征 | 第57-60页 |
| ·SBTN薄膜电学性质 | 第60-64页 |
| ·SBTN薄膜的光学性质 | 第64-70页 |
| 小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| ·结论 | 第73-74页 |
| ·展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读硕士学位期间完成的文章 | 第76页 |
