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强介电材料Si-MOS电容特性和光电性质研究

论文摘要第1-8页
Abstract第8-12页
第一章 绪论第12-27页
   ·介电材料概述第12-14页
   ·强介电材料概述第14-17页
   ·强介电材料Si-MOS研究背景及其现状第17-21页
   ·强介电材料光电性质研究背景及其现状第21-23页
   ·本文的研究内容第23-24页
 参考文献第24-27页
第二章 强介电材料薄膜的制备方法及其特点第27-39页
   ·引言第27页
   ·薄膜制备方法概述第27-30页
   ·溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜第30-33页
   ·脉冲激光沉积(PLD)制备SBTN铁电薄膜第33-36页
   ·退火和热处理第36页
 小结第36-37页
 参考文献第37-39页
第三章 PZT薄膜Si-MOS电容特性研究第39-56页
   ·PZT薄膜的制备第39-42页
   ·PZT薄膜微结构分析第42-46页
   ·Si-MOS电容结构的介电特性第46-48页
   ·Si-MOS电容结构的电流-电压特性第48-53页
 小结第53-54页
 参考文献第54-56页
第四章 强介电材料SBTN的制备及其光学性质研究第56-73页
   ·SBTN薄膜的制备第56-57页
   ·SBTN薄膜的表征第57-60页
   ·SBTN薄膜电学性质第60-64页
   ·SBTN薄膜的光学性质第64-70页
 小结第70-71页
 参考文献第71-73页
第五章 总结与展望第73-75页
   ·结论第73-74页
   ·展望第74-75页
致谢第75-76页
攻读硕士学位期间完成的文章第76页

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