| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| §1-1 压力传感器的发展与现状 | 第8-10页 |
| §1-2 高温压力传感器的研究状况 | 第10-11页 |
| §1-3 本论文的主要研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 高温压力传感器的设计 | 第12-19页 |
| §2-1 SOI 材料的结构与特点 | 第12-13页 |
| §2-2 压力传感器的灵敏度分析 | 第13-17页 |
| 2-2-1 多晶硅压阻效应 | 第13-15页 |
| 2-2-2 承压弹性膜片的应力分析 | 第15-17页 |
| §2-3 传感器的芯片版图设计 | 第17-19页 |
| 2-3-1 力敏电阻的阻值 | 第17页 |
| 2-3-2 力敏电阻的条宽 | 第17页 |
| 2-3-3 力敏电阻的长度 | 第17-18页 |
| 2-3-4 芯片尺寸的确定 | 第18-19页 |
| 第三章 传感器的工艺设计和试制 | 第19-31页 |
| §3-1 工艺流程设计 | 第19-20页 |
| §3-2 硅片的清洗 | 第20-21页 |
| §3-3 氮化铝薄膜的溅射制备 | 第21-24页 |
| 3-3-1 氮化铝的晶体结构及其性能 | 第21-22页 |
| 3-3-2 氮化铝的制备 | 第22-23页 |
| 3-3-3 AlN 薄膜的性能测试 | 第23-24页 |
| §3-4 非晶硅溅射及其在铝诱导下晶化 | 第24-26页 |
| 3-4-1 非晶硅退火晶化机理简析 | 第24-25页 |
| 3-4-2 多晶硅薄膜的制备 | 第25页 |
| 3-4-3 溅射基片的检测分析 | 第25-26页 |
| §3-5 光刻 | 第26-28页 |
| §3-6 各向异性腐蚀硅杯 | 第28-30页 |
| §3-7 高温压力传感器的封接问题 | 第30-31页 |
| 第四章 高温压力传感器研制方法的改进 | 第31-33页 |
| §4-1 概述 | 第31页 |
| §4-2 设计 | 第31-32页 |
| §4-3 工艺流程 | 第32-33页 |
| 第五章 高温压力传感器的计算机模拟 | 第33-39页 |
| §5-1 ANSYS 简介及模拟过程 | 第33-34页 |
| §5-2 热模拟理论基础 | 第34页 |
| §5-3 模型的建立 | 第34-35页 |
| §5-4 AlN SiO_2 Al_2O_3 作为绝缘层时的比较 | 第35-36页 |
| §5-5 散热层不同厚度时衬底温度的比较 | 第36-37页 |
| §5-6 散热层不同厚度时电阻中心点温度的比较 | 第37-38页 |
| §5-7 结论 | 第38-39页 |
| 第六章 结论 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第44页 |