| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 概述 | 第8-29页 |
| ·研究目的 | 第8-9页 |
| ·电接触及电接触材料 | 第9-17页 |
| ·电接触理论 | 第9-10页 |
| ·电触头的分类与特性 | 第10-13页 |
| ·AgMeO 系触头 | 第10-11页 |
| ·AgNi 系触头 | 第11-12页 |
| ·AgC 系触头 | 第12页 |
| ·AgW（AgWC）系触头 | 第12页 |
| ·非晶态触头材料 | 第12页 |
| ·超导触头材料 | 第12-13页 |
| ·电触头应用范围及电器对其性能要求 | 第13-14页 |
| ·电触头的制备工艺 | 第14-17页 |
| ·纳米掺杂材料 | 第17-21页 |
| ·纳米材料 | 第17-18页 |
| ·纳米材料制备方法 | 第18-19页 |
| ·纳米掺杂SnO_2 材料的特性 | 第19-20页 |
| ·溶胶-凝胶法制备纳米掺杂SnO_2 | 第20-21页 |
| ·纳米掺杂SnO_2 的第一性原理计算 | 第21-28页 |
| ·计算材料学研究背景 | 第21-22页 |
| ·第一性原理方法 | 第22-24页 |
| ·电子密度泛函理论（Density Functional Theory，DFT） | 第24-25页 |
| ·局域密度近似（LDA） | 第25-26页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第26页 |
| ·CASTEP 介绍 | 第26-27页 |
| ·掺杂SnO_2 第一性原理计算思路 | 第27-28页 |
| ·本论文的研究内容 | 第28-29页 |
| ·本课题来源 | 第28-29页 |
| 第二章 纳米掺杂SnO_2第一性原理计算 | 第29-58页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·半导体的电导 | 第29-30页 |
| ·理想SnO_2 晶体第一性原理计算 | 第30-34页 |
| ·理论模型与计算方法 | 第30-32页 |
| ·理想SnO_2 晶体计算结果与讨论 | 第32-34页 |
| ·Co 掺杂SnO_2 体系第一性原理计算 | 第34-43页 |
| ·SnO_2 最佳掺杂量的计算 | 第34-35页 |
| ·掺杂模型与计算方法 | 第35-36页 |
| ·Co 掺杂SnO_2 体系计算结果与讨论 | 第36-43页 |
| ·其它元素掺杂SnO_2 第一性原理计算 | 第43-57页 |
| ·计算模型与计算方法 | 第43-44页 |
| ·计算结果与讨论 | 第44-55页 |
| ·不同掺杂计算结果讨论 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第三章 纳米掺杂SnO_2粉末的制备与研究 | 第58-70页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·实验方法 | 第58-60页 |
| ·实验设备 | 第58-59页 |
| ·实验原料 | 第59-60页 |
| ·实验结果和讨论 | 第60-69页 |
| ·纳米掺杂SnO_2 溶胶的制备 | 第60-61页 |
| ·分散剂的作用 | 第61-62页 |
| ·DTA-TG 差热分析 | 第62-63页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第63-67页 |
| ·纳米掺杂粉末的SEM 分析 | 第67-68页 |
| ·纳米掺杂粉末的电性能分析 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第四章 纳米掺杂A9SnO_2电触头的制备与研究 | 第70-82页 |
| ·引言 | 第70页 |
| ·实验方法 | 第70-74页 |
| ·实验材料 | 第70-71页 |
| ·实验设备 | 第71页 |
| ·A9SnO_2 电触头的制备工艺 | 第71-74页 |
| ·实验结果及讨论 | 第74-81页 |
| ·纳米掺杂A9SnO_2 电触头材料成分分析 | 第74-77页 |
| ·纳米掺杂A9SnO_2 显微组织分析 | 第77-78页 |
| ·纳米掺杂A9SnO_2 触头材料性能分析 | 第78-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第五章 全文总结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-88页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89页 |