| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-22页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·硅基纳米发光材料的研究现状 | 第8-15页 |
| ·硅基纳米发光材料的研究意义 | 第8页 |
| ·硅量子点的制备方法 | 第8-13页 |
| ·多层膜退火法 | 第8-9页 |
| ·复合薄膜退火法 | 第9页 |
| ·单层量子点生长 | 第9-10页 |
| ·热活性法 | 第10-12页 |
| ·高功率溅射法 | 第12-13页 |
| ·硅量子点材料存在的问题 | 第13-14页 |
| ·硅量子点的发光机理 | 第14-15页 |
| ·量子限制（Quantum Confinement Effect, QCE）模型 | 第14页 |
| ·发光中心（Luminescent Center, LC）模型 | 第14页 |
| ·量子限制—发光中心（QC-LCs）模型 | 第14-15页 |
| ·表面态和界面态模型 | 第15页 |
| ·氧化锌纳米材料的发展现状 | 第15-20页 |
| ·氧化锌纳米材料的研究意义 | 第15-16页 |
| ·氧化锌纳米晶的制备方法 | 第16-18页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第16-17页 |
| ·溶胶－凝胶法 | 第17-18页 |
| ·有机金属化学气相沉积 | 第18页 |
| ·磁控溅射法 | 第18页 |
| ·氧化锌纳米晶的发光机制 | 第18-20页 |
| ·本课题的试验思路及创新之处 | 第20-22页 |
| 第二章 试验原料和试验装置 | 第22-24页 |
| ·试验原料 | 第22页 |
| ·试验装置与测试设备 | 第22-24页 |
| ·JGP450G 型三靶共溅射高真空磁控溅射设备 | 第22页 |
| ·GSL 1600X 真空管式高温炉 | 第22-23页 |
| ·光致发光性能测试（PL） | 第23页 |
| ·微观结构分析（TEM） | 第23页 |
| ·结晶相分析（XRD） | 第23页 |
| ·表面价态分析（XPS） | 第23-24页 |
| 第三章 Si 纳米晶的制备及其发光性能的研究 | 第24-42页 |
| ·利用反应溅射的方法制备Si 纳米晶 | 第24-30页 |
| ·样品的制备 | 第24页 |
| ·试验结果与讨论 | 第24-30页 |
| ·光致发光性能的分析 | 第24-25页 |
| ·表面化学键的分析 | 第25-26页 |
| ·微观结构的分析 | 第26-28页 |
| ·晶粒生长模型 | 第28-29页 |
| ·发光机理的分析 | 第29-30页 |
| ·利用热活性的方法制备Si 纳米晶 | 第30-41页 |
| ·Al/SiO_2 复合膜试验方案 | 第31-34页 |
| ·样品的制备 | 第31页 |
| ·试验结果与分析 | 第31-34页 |
| ·SiO_2/Al/SiO_2 三明治薄膜试验方案 | 第34-41页 |
| ·样品的制备 | 第34-35页 |
| ·试验结果与分析 | 第35-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 反应溅射制备ZnO 纳米晶 | 第42-51页 |
| ·样品的制备 | 第42页 |
| ·试验结果与分析 | 第42-49页 |
| ·光致发光性能分析 | 第42-43页 |
| ·结晶相与微观结构的分析 | 第43-47页 |
| ·表面价键的分析 | 第47-49页 |
| ·晶体生长模型 | 第49页 |
| ·发光机理的研究 | 第49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
