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半导体低维量子结构中电子态、声子态及其相互作用性质研究

学位论文原创性声明和学位论文版权使用授权书第1-5页
摘要第5-7页
ABSTRACT第7-12页
插图索引第12-14页
第1章 绪论第14-29页
   ·引言第14-15页
   ·半导体超晶格电子态理论第15-17页
     ·半导体超晶格简介第15-16页
     ·包络函数模型第16-17页
   ·半导体超晶格声子态理论第17-22页
     ·连续介质弹性模型与声学声子谱第18-20页
     ·介电连续模型与光学声子谱第20-22页
   ·半导体超晶格电声子互作用理论第22-26页
   ·本文的研究背景及意义第26-28页
   ·本文研究内容第28-29页
第2章 磁场下含结构缺陷多组分超晶格中的局域电子态和电子输运第29-41页
   ·引言第29-30页
   ·模型与公式第30-35页
     ·含结构缺陷的阶梯形势垒基无限超晶格的局域电子态第30-33页
     ·含结构缺陷的阶梯形势垒基有限超晶格的电子输运系数第33-35页
   ·数值结果和分析第35-40页
     ·有限磁场对局域电子态的影响第35-38页
     ·磁场下有限超晶格的电子输运谱第38-40页
   ·本章小结第40-41页
第3章 含结构缺陷超晶格量子波导中声学声子输运第41-52页
   ·引言第41页
   ·模型与公式第41-46页
   ·数值结果和分析第46-50页
   ·本章小结第50-52页
第4章 含结构缺陷有限超晶格中局域界面光学声子模的演变第52-69页
   ·引言第52-53页
   ·模型与公式第53-56页
   ·数值结果和分析第56-67页
     ·局域界面光学声子模随缺陷层厚度的演变特征第56-59页
     ·局域界面光学声子模随组分层厚度的演变特征第59-63页
     ·三元合金缺陷层对局域界面光学声子模的影响第63-67页
     ·局域界面光学声子模本质讨论第67页
   ·本章小结第67-69页
第5章 含包覆层半无限超晶格的表面电声子互作用及其主导下的电子跃迁第69-81页
   ·引言第69-70页
   ·模型与公式第70-74页
     ·表面光学声子模第71-72页
     ·表面电子态第72-73页
     ·表面电声子互作用主导下的电子跃迁率第73-74页
   ·数值结果和分析第74-80页
     ·表面电子态和声子模的局域特征第74-76页
     ·表面电声子跃迁率随电子横向波数κ_‖及组分层厚度的变化第76-78页
     ·表面电声子跃迁率随基底层Al浓度的变化第78-79页
     ·表面电声子跃迁率随包覆层宽度和势函数的变化第79-80页
   ·本章小结第80-81页
结论第81-83页
参考文献第83-95页
附录A (攻读学位期间发表与待发表的学术论文目录)第95-96页
致谢第96页

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