| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-34页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·ZnO的基本特性 | 第12-18页 |
| ·ZnO的晶格特性 | 第12-14页 |
| ·ZnO能带结构和光学性质 | 第14-16页 |
| ·ZnO薄膜的电学性质 | 第16-18页 |
| ·ZnO薄膜常用的制备方法 | 第18-23页 |
| ·化学气相沉积法 | 第18-20页 |
| ·溅射法 | 第20页 |
| ·电子束蒸发沉积 | 第20-21页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第21-22页 |
| ·分子束外延 | 第22页 |
| ·喷雾热分解法 | 第22-23页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第23页 |
| ·源材料的选择及可能的反应 | 第23-25页 |
| ·ZnO薄膜的应变研究 | 第25-26页 |
| ·ZnO薄膜P型掺杂发光器件研究进展 | 第26-27页 |
| ·ZnO基半导体材料的应用前景 | 第27页 |
| ·本论文的主要内容及安排 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-34页 |
| 第二章 ZnO薄膜的生长系统及其表征方法 | 第34-46页 |
| ·MOCVD系统简介 | 第34-38页 |
| ·生长ZnO薄膜的常压MOCVD系统 | 第35-37页 |
| ·气体处理系统 | 第36-37页 |
| ·反应室 | 第37页 |
| ·控制部分 | 第37页 |
| ·MOCVD的生长机制 | 第37-38页 |
| ·薄膜的结构及其光学性能表征方法 | 第38-44页 |
| ·X射线双晶衍射技术 | 第38-40页 |
| ·光致发光谱 | 第40-44页 |
| ·本征吸收和激子吸收谱 | 第41页 |
| ·ZnO的发光光谱和辐射复合 | 第41-43页 |
| ·自由激子 | 第43-44页 |
| ·束缚激子 | 第44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第三章 c-Al_2O_3衬底上ZnO薄膜的常压MOCVD生长 | 第46-53页 |
| ·不同氧源ZnO薄膜的生长 | 第46-49页 |
| ·氧源的选择 | 第46页 |
| ·N_2O为氧源ZnO薄膜的生长 | 第46-47页 |
| ·H_2O为氧源ZnO薄膜的生长 | 第47-49页 |
| ·不同温度ZnO薄膜的生长 | 第49-51页 |
| ·ZnO薄膜生长工艺选择 | 第49页 |
| ·不同温度ZnO薄膜的生长 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第四章 不同氧源生长的ZnO薄膜的性能研究 | 第53-61页 |
| ·不同氧源生长的ZnO薄膜的结构特性 | 第53-56页 |
| ·不同氧源生长的ZnO薄膜的光学特性 | 第56-59页 |
| ·不同氧源生长的ZnO薄膜的室温光致发光谱 | 第56-57页 |
| ·不同氧源生长的ZnO薄膜的低温光致发光谱 | 第57-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第五章 不同温度生长的Zno薄膜的性能研究 | 第61-69页 |
| ·不同温度生长的ZnO薄膜的X射线双晶衍射ω扫描 | 第61-63页 |
| ·不同温度生长的ZnO薄膜的X射线双晶衍射θ-2θ扫描 | 第63-66页 |
| ·不同温度生长的ZnO薄膜的室温PL谱 | 第66-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-69页 |
| 第六章 总结 | 第69-71页 |
| 硕士生期间发表的论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |