| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·碳化硅材料的基本特性及其优势 | 第8-10页 |
| ·碳化硅的晶体结构 | 第8-9页 |
| ·碳化硅的材料特性 | 第9-10页 |
| ·SiC MOSFET的研究进展 | 第10-11页 |
| ·本文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 碳化硅MOSFET特性研究的理论基础 | 第13-30页 |
| ·SiC MOSFET阈值电压温度特性分析 | 第13-20页 |
| ·SiC中载流子冻析效应 | 第14-17页 |
| ·界面态电荷密度 | 第17-18页 |
| ·本征载流子浓度ni(T) | 第18-19页 |
| ·6H-SiC MOSFET阈值电压温度特性的模拟与分析 | 第19-20页 |
| ·SiC MOSFET器件沟道有效迁移率 | 第20-21页 |
| ·SiC MOSFET源漏串联电阻温度特性分析 | 第21-23页 |
| ·SiC MOSFET体漏电流温度特性分析 | 第23-29页 |
| ·材料缺陷以及器件大小对SiC二极管反向输出特性的影响 | 第24-26页 |
| ·不同产生模型对SiC二极管反向电流的影响 | 第26-28页 |
| ·本文所用模型 | 第28-29页 |
| ·本章总结 | 第29-30页 |
| 第三章 高温条件下器件基本模型的建立及输出特性分析 | 第30-37页 |
| ·SiC MOSFET的理论模型 | 第30-32页 |
| ·SiC MOSFET输出特性分析及讨论 | 第32-35页 |
| ·不同温度下各补偿电流源的变化 | 第35-36页 |
| ·本章总结 | 第36-37页 |
| 第四章 SiC器件关键工艺技术—欧姆接触 | 第37-49页 |
| ·欧姆接触的理论分析 | 第38页 |
| ·欧姆接触的理论分析 | 第38-41页 |
| ·金属-半导体接触 | 第38-39页 |
| ·欧姆接触特性 | 第39-40页 |
| ·传输线模型(TLM) | 第40-41页 |
| ·离子注入法制备欧姆接触 | 第41-45页 |
| ·实验过程 | 第41-43页 |
| ·结果分析及讨论 | 第43-45页 |
| ·重掺杂外延材料上制备欧姆接触 | 第45-48页 |
| ·实验过程 | 第45-46页 |
| ·结果分析与讨论 | 第46-48页 |
| ·本章总结 | 第48-49页 |
| 第五章 结束语 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第55页 |
