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CMOS低噪声放大器的设计

第一章 前言第1-12页
   ·研究背景第8-9页
   ·国内外现状第9-10页
   ·主要工作第10-12页
第二章 CMOS 工艺中的电容与电感第12-21页
   ·CMOS 工艺中的电容第12-13页
   ·CMOS 工艺中的电感第13-21页
     ·CMOS 工艺中的电感模型第13-15页
     ·品质因数(Q)第15-19页
     ·电感Q 值的提高第19-21页
第三章 噪声第21-31页
   ·噪声模型第21-25页
     ·热噪声第21-23页
     ·散射噪声第23-24页
     ·1/f 噪声第24-25页
   ·二端口噪声网络第25-27页
   ·级连网络的噪声第27-31页
第四章 低噪声放大器的设计第31-53页
   ·指标要求第31-32页
   ·共源共栅源级去耦第32-36页
     ·源级去耦第33-34页
     ·共源共栅第34-36页
   ·低噪声放大器的噪声分析第36-39页
   ·级间匹配第39-44页
   ·非线性分析第44-49页
   ·放大器设计实例第49-52页
   ·小结第52-53页
第五章 版图设计第53-55页
第六章 结论第55-56页
致谢第56-57页
参考文献第57-59页
在学期间研究成果第59页

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