| 中文摘要 | 第1-3页 |
| 英文摘要 | 第3-6页 |
| 一、引言 | 第6-11页 |
| 1．1 等离子体技术及其在工业中的应用 | 第6-7页 |
| 1．2 等离子体化学气相淀积技术 | 第7-8页 |
| 1．3 Langmuir单探针的使用现状 | 第8-9页 |
| 1．4 本论文的主要研究方法及其意义 | 第9-11页 |
| 二、PCVD制膜工艺及物理基础 | 第11-18页 |
| 2．1 PCVD反应动力学 | 第11-12页 |
| 2．2 等离子体的空间反应 | 第12-13页 |
| 2．3 SiCl_4／H_2混合气体的PCVD法沉积薄膜 | 第13-14页 |
| 2．4 SiCl_4／H_2辉光放电等离子体的空间气相反应 | 第14-18页 |
| 三、实验 | 第18-24页 |
| 3．1 系统装置 | 第18页 |
| 3．2 实验内容 | 第18-20页 |
| 3．3 腐蚀问题 | 第20页 |
| 3．4 中毒问题 | 第20-21页 |
| 3．5 射频干扰的抑制 | 第21-24页 |
| 四、实验数据的获得和处理． | 第24-28页 |
| 4．1 探针诊断原理 | 第24页 |
| 4．2 数值滤波处理 | 第24-28页 |
| 五、结果与分析 | 第28-40页 |
| 5．1 等离子体中的电子加热模式 | 第28-29页 |
| 5．2 Ar等离子体参数随工艺条件的变化规律 | 第29-32页 |
| 5．3 SiCl_4／H_2等离子体参数随工艺条件的变化规律 | 第32-40页 |
| 六、薄膜沉积机制的初步分析 | 第40-42页 |
| 七、结论 | 第42-43页 |
| 致谢 | 第43页 |
