| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-21页 |
| ·GaN基半导体材料的特点及应用 | 第10-12页 |
| ·GaN基材料的制备 | 第12-13页 |
| ·GaN晶体结构 | 第13-14页 |
| ·GaN体相及表面性质的研究 | 第14-18页 |
| ·本论文的研究目的 | 第18-19页 |
| ·参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 密度泛函理论及其在固相体系中的应用 | 第21-33页 |
| ·密度泛函理论(DFT)方法简介 | 第21-23页 |
| ·密度泛函理论及其各种近似泛函形式 | 第23-28页 |
| ·固相体系计算研究中的簇模型方法 | 第28-31页 |
| ·参考文献 | 第31-33页 |
| 第三章 O_2在GaN(0001)及(000(?))表面的吸附研究 | 第33-43页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·计算模型和计算方法 | 第34-36页 |
| ·O_2分子在GaN(0001)表面的吸附 | 第36-40页 |
| ·氧原子在GaN(0001)及(000(?))表面的吸附 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| ·参考文献 | 第42-43页 |
| 第四章 NH_3在GaN(0001)及O／(0001)表面的吸附研究 | 第43-56页 |
| ·NH_3在洁净GaN(0001)表面的吸附研究 | 第43-51页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·计算模型和计算方法 | 第44-45页 |
| ·分子NH_3在GaN(0001)表面的吸附 | 第45-47页 |
| ·NH_3在GaN表面的解离吸附 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| ·参考文献 | 第50-51页 |
| ·NH_3在GaN(0001)预吸附氧表面的吸附研究 | 第51-56页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·计算模型和计算方法 | 第51-52页 |
| ·NH_3在洁净(0001)表面的解离 | 第52-53页 |
| ·NH_3在预吸附氧表面的解离吸附 | 第53-54页 |
| ·讨论 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55页 |
| ·参考文献 | 第55-56页 |
| 第五章 Cl_2在GaN(0001)表面的解离吸附研究 | 第56-63页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·计算模型和计算方法 | 第56-57页 |
| ·计算结果及讨论 | 第57-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| ·参考文献 | 第62-63页 |
| 第六章 N_2O在GaN(0001)表面的解离吸附研究 | 第63-71页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·计算模型和计算方法 | 第63-65页 |
| ·计算结果及讨论 | 第65-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| ·参考文献 | 第70-71页 |
| 总结 | 第71-72页 |
| 论文发表情况 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
