| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| ·研究背景 | 第8-16页 |
| ·信息时代的需求 | 第8-10页 |
| ·稀土元素的基本物性及其应用 | 第10-13页 |
| ·掺铒氢化非晶硅(a-Si:H(Er))的研究历史、发展状况及应用前景 | 第13-16页 |
| ·研究目的 | 第16页 |
| ·本论文的结构 | 第16-17页 |
| 第2章 实验方法 | 第17-42页 |
| ·样品制备方法 | 第17-20页 |
| ·使用的衬底 | 第17页 |
| ·衬底的洗净 | 第17-18页 |
| ·样品的制备 | 第18-19页 |
| ·制备装置 | 第19-20页 |
| ·膜厚的测定 | 第20-21页 |
| ·退火处理 | 第21-22页 |
| ·光照射 | 第22-24页 |
| ·EPMA(电子探针微区分析)测试 | 第24-26页 |
| ·EPMA原理 | 第24-25页 |
| ·测试方法 | 第25-26页 |
| ·FTIR(Fourier变换红外吸收)测试 | 第26-29页 |
| ·基本原理 | 第26-28页 |
| ·测试方法 | 第28-29页 |
| ·光学吸收测试 | 第29-32页 |
| ·基本原理 | 第30-31页 |
| ·测试方法 | 第31-32页 |
| ·ESR(电子回旋共振)测试 | 第32-37页 |
| ·基本原理 | 第32-35页 |
| ·测试方法 | 第35-36页 |
| ·ESR的定量 | 第36-37页 |
| ·光荧光(PL)测试 | 第37-42页 |
| ·基本原理 | 第37页 |
| ·测试方法 | 第37-39页 |
| ·对于探测器特性的PL强度修正 | 第39-40页 |
| ·对于测试状态的PL强度修正 | 第40-41页 |
| ·对于样品测试温度的修正 | 第41-42页 |
| 第3章 铒掺杂氢化非晶氮化硅(Er doped a-SiN:H)的退火效果 | 第42-54页 |
| ·前言 | 第42页 |
| ·样品制备 | 第42-43页 |
| ·铒化硅(SiEr)溅射靶的制备 | 第42-43页 |
| ·铒掺杂氢化非晶氮化硅(Er doped a-SiN:H)的制备 | 第43页 |
| ·铒掺杂氢化非晶氮化硅(Er doped a-SiN:H)未经退火处理的基础物性 | 第43-45页 |
| ·铒掺杂氢化非晶氮化硅(Er doped a-SiN:H)未经退火处理的PL测量 | 第45-48页 |
| ·样品的PL图谱 | 第45-46页 |
| ·PL的测试温度对PL谱的影响 | 第46页 |
| ·PL强度的测试温度依存性 | 第46-47页 |
| ·铒荧光(Er PL)强度的测试温度依存性 | 第47-48页 |
| ·退火处理 | 第48页 |
| ·铒掺杂氢化非晶氮化硅(Er doped a-SiN:H)退火处理后的基础物性的变化 | 第48-51页 |
| ·H浓度对退火温度的依存性 | 第49页 |
| ·光学带隙的退火温度依存性 | 第49-50页 |
| ·悬挂键(DB)密度的退火温度依存性 | 第50-51页 |
| ·PL强度的退火温度的依存性与悬挂键(DB)密度间的关系 | 第51-53页 |
| ·PL强度的退火温度依存性 | 第51-52页 |
| ·PL强度的悬挂键(DB)密度依存性 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第4章 铒掺杂氢化非晶硅(Er doped a-Si:H)的PL强度的DB密度依存性 | 第54-62页 |
| ·前言 | 第54页 |
| ·样品制备 | 第54-55页 |
| ·铒化硅(SiEr)溅射靶的制备 | 第54-55页 |
| ·铒掺杂氢化非晶硅(Er doped a-Si:H)的制备 | 第55页 |
| ·铒掺杂氢化非晶硅(Er doped a-Si:H)的基础物性 | 第55-57页 |
| ·H浓度对悬挂键(DB)密度的影响及对铒荧光(Er PL)强度的影响 | 第57-58页 |
| ·光照射对悬挂键(DB)密度及对铒荧光(Er PL)强度的影响 | 第58页 |
| ·退火处理对悬挂键(DB)密度的影响及对铒荧光(Er PL)强度的影响 | 第58-59页 |
| ·铒荧光(Er PL)强度对悬挂键(DB)密度的依存性 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-62页 |
| 第5章 缺陷荧光(Defect PL)的悬挂键(DB)密度依存性 | 第62-71页 |
| ·前言 | 第62页 |
| ·退火处理 | 第62页 |
| ·光学带隙的退火温度依存性 | 第62-63页 |
| ·样品的PL谱 | 第63-65页 |
| ·缺陷荧光(Defect PL)的悬挂键(DB)密度依存性 | 第65-66页 |
| ·悬挂键(DB)密度的变化对PL强度的影响 | 第66-67页 |
| ·PL的测定温度依存性 | 第67-69页 |
| ·小结 | 第69-71页 |
| 第6章 未掺杂氢化非晶硅(undoped a-Si:H)的PL | 第71-76页 |
| ·前言 | 第71页 |
| ·未掺杂氢化非晶硅(undoped a-Si:H)的制备 | 第71页 |
| ·未掺杂氢化非晶硅(undoped a-Si:H)的基础物性 | 第71-72页 |
| ·未掺杂氢化非晶硅(undoped a-Si:H)的PL | 第72-73页 |
| ·未掺杂氢化非晶硅(undoped a-Si:H)与铒掺杂氢化非晶硅(Er doped a-Si:H)的PL比较 | 第73-74页 |
| ·暗电导率测试 | 第74-75页 |
| ·小结 | 第75-76页 |
| 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
