| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| 1．1 c-BN的研究 | 第8-9页 |
| 1．2 BN的结构和性质 | 第9-14页 |
| 1．2．1 六角氮化硼 | 第11页 |
| 1．2．1．1 六角氮化硼的结构 | 第11页 |
| 1．2．1．2 六角氮化硼的性质 | 第11页 |
| 1．2．2 立方氮化硼 | 第11-14页 |
| 1．2．2．1 立方氮化硼的结构 | 第11-12页 |
| 1．2．2．2 立方氮化硼的性质 | 第12-14页 |
| 1．2．3 氮化硼的相关系 | 第14页 |
| １．3 c-BN薄膜制备中存在的主要问题 | 第14-16页 |
| 1．3．1 薄膜与衬底的结合力问题 | 第15页 |
| 1．3．2 薄膜的厚度和纯度 | 第15-16页 |
| 1．3．3 外延生长问题 | 第16页 |
| 1．4 本章小结 | 第16-17页 |
| 第2章 射频溅射系统及c-BN薄膜的表征 | 第17-24页 |
| 2．1 射频溅射的原理 | 第17-19页 |
| 2．1．1 射频辉光放电的原理 | 第17-18页 |
| 2．1．2 射频辉光放电的特点 | 第18页 |
| 2．1．3 溅射机理 | 第18-19页 |
| 2．1．4 射频溅射的特点 | 第19页 |
| 2．2 射频溅射系统 | 第19-21页 |
| 2．3 立方氮化硼薄膜的表征 | 第21-23页 |
| 2．3．1 红外光谱分析（FTIR） | 第21-22页 |
| 2．3．2 光电子能谱分析（XPS） | 第22页 |
| 2．3．3 薄膜的形貌观测 | 第22-23页 |
| 2．4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 影响立方氮化硼制备的主要因素 | 第24-37页 |
| 3．1 衬底材料对制备c-BN的影响 | 第24-27页 |
| 3．1．1 衬底材料的预处理 | 第24-25页 |
| 3．1．2 衬底材料对c-BN薄膜的影响 | 第25-27页 |
| 3．2 主要的沉积工艺参数对立方氮化硼形核的影响 | 第27-32页 |
| 3．2．1 衬底温度 | 第28-29页 |
| 3．2．2 衬底负偏压 | 第29-31页 |
| 3．2．3 沉积气压 | 第31-32页 |
| 3．2．4 等离子体密度和功率密度 | 第32页 |
| 3．3 主要的沉积工艺参数对立方氮化硼生长的影响 | 第32-36页 |
| 3．3．1 工作气体组成对c-BN生长的影响 | 第32-33页 |
| 3．3．2 直流负偏压对c-BN生长的影响 | 第33-34页 |
| 3．3．3 衬底温度对c-BN生长的影响 | 第34-35页 |
| 3．3．4 衬底与靶材之间的距离对c-BN生长的影响 | 第35-36页 |
| 3．3．5 偏压片的尺寸对c-BN生长的影响 | 第36页 |
| 3．4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 立方氮化硼（c-BN）薄膜的光学带隙 | 第37-43页 |
| 4．1 实验过程 | 第37-38页 |
| 4．2 结果和讨论 | 第38-42页 |
| 4．2．1 c-BN的FTIR分析 | 第38页 |
| 4．2．2 c-BN的反射和透射谱分析 | 第38-40页 |
| 4．2．3 不同含量c-BN的光学带隙 | 第40-42页 |
| 4．3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第5章 高质量、高粘附性c-BN薄膜的制备 | 第43-52页 |
| 5．1 实验过程 | 第43-45页 |
| 5．1．1 衬底清洗 | 第43-44页 |
| 5．1．2 样品制备 | 第44-45页 |
| 5．1．3 成分表征 | 第45页 |
| 5．2 结果与讨论 | 第45-51页 |
| 5．2．1 c-BN的成核分析 | 第45-47页 |
| 5．2．2 c-BN薄膜的XPS分析和硼氮原子比 | 第47-48页 |
| 5．2．3 c-BN薄膜中的应力 | 第48-50页 |
| 5．2．4 c-BN薄膜成核和生长机理的探讨 | 第50-51页 |
| 5．3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第6章 氮化硼薄膜的掺杂及其半导体特性 | 第52-62页 |
| 6．1 掺杂实验 | 第53-54页 |
| 6．1．1 掺杂方法 | 第53-54页 |
| 6．1．2 实验过程 | 第54页 |
| 6．2 成分鉴定 | 第54-57页 |
| 6．2．1 光电子能谱 | 第55-57页 |
| 6．2．2 俄歇电子能谱 | 第57页 |
| 6．3 硫源加热温度对n型BN薄膜电阻率的影响 | 第57-58页 |
| 6．4 p-Si/N-BN异质结 | 第58-61页 |
| 6．4．1 异质结概念的提出和发展 | 第58页 |
| 6．4．2 实验与测量 | 第58-60页 |
| 6．4．3 结果分析 | 第60-61页 |
| 6．5 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |