| 第一章 前言 | 第1-11页 |
| 1．1 引言 | 第7页 |
| 1．2 晶体的铁电性和热释电性的研究进展 | 第7-9页 |
| 1．3 铁电和热释电材料的研究状况及发展前景 | 第9-10页 |
| 1．4 本文主要的研究内容 | 第10-11页 |
| 第二章 晶体的铁电性和热释电性 | 第11-20页 |
| 2．1 晶体的铁电性 | 第11-12页 |
| 2．2 晶体的热释电性 | 第12-13页 |
| 2．3 热释电探测器对材料性能的要求 | 第13-18页 |
| 2．4 热释电系数和电滞回线的测量 | 第18-20页 |
| 2．4．1 电滞回线的测量 | 第18页 |
| 2．4．2 热释电系数的测量 | 第18-20页 |
| 第三章 薄膜 | 第20-27页 |
| 3．1 薄膜研究的历史 | 第20页 |
| 3．2 薄膜的制备技术 | 第20-21页 |
| 3．3 薄膜的形成过程 | 第21-23页 |
| 3．3．1 临界核的形成 | 第21-22页 |
| 3．3．2 粒子的长大与接合 | 第22-23页 |
| 3．3．3 迷津结构的形成 | 第23页 |
| 3．3．4 连续膜的形成 | 第23页 |
| 3．4 影响薄膜成核和生长的各种因素 | 第23-24页 |
| 3．5 薄膜的非理想情况、缺陷和改性 | 第24-27页 |
| 3．5．1 薄膜的非理想情况 | 第24-25页 |
| 3．5．2 薄膜的缺陷 | 第25-27页 |
| 第四章 锆钛酸铅（PZT） | 第27-30页 |
| 4．1 锆钛酸铅PZT的发展状况 | 第27页 |
| 4．2 PZT的结构性能及相图 | 第27-30页 |
| 4．2．1 PZT的结构性能 | 第27-28页 |
| 4．2．2 PZT的相图 | 第28-30页 |
| 第五章 PZT薄膜的制备及其实验研究 | 第30-50页 |
| 5．1 PZT压电陶瓷的制备 | 第30页 |
| 5．2 PZT薄膜的制备 | 第30-32页 |
| 5．2．1 沉积PZT薄膜的实验装置 | 第30-31页 |
| 5．2．2 薄膜样品的结构 | 第31-32页 |
| 5．2．3 外延生长单晶薄膜 | 第32页 |
| 5．3 XRD理论及其分析 | 第32-34页 |
| 5．3．1 晶面间距 | 第32-33页 |
| 5．3．2 布拉格定律（Bragg's Law） | 第33-34页 |
| 5．4 介电常数和介电损耗与频率的关系 | 第34-38页 |
| 5．4．1 介电常数与频率的关系 | 第34-37页 |
| 5．4．2 介电损耗与频率的关系 | 第37-38页 |
| 5．5 实验工艺 | 第38-39页 |
| 5．5．1 基片的净化 | 第38页 |
| 5．5．2 沉积室气压 | 第38页 |
| 5．5．3 沉积室气氛 | 第38页 |
| 5．5．4 激光能量及其它参数的设置 | 第38-39页 |
| 5．5．5 样品制备的工艺流程图 | 第39页 |
| 5．6 实验结果及其分析 | 第39-48页 |
| 5．6．1 PZT薄膜的铁电和热释电性能的实验研究 | 第39-41页 |
| 5．6．2 基底温度对薄膜性能影响的实验研究 | 第41-43页 |
| 5．6．3 退火温度对薄膜性能影响的实验研究 | 第43-46页 |
| 5．6．4 掺杂对薄膜性能影响的实验研究 | 第46-48页 |
| 5．7 本章小结 | 第48-50页 |
| 第六章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |