| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| 1．1 电力半导体器件综述 | 第7-9页 |
| 1．2 电力半导体器件所面临的挑战和应对策略 | 第9-11页 |
| 1．3 本文的研究对象和内容 | 第11-12页 |
| 第二章 理论分析 | 第12-28页 |
| 2．1 Si_（1-x）Ge_x材料的基本性质 | 第13-15页 |
| 2．2 异质结理论 | 第15-23页 |
| 2．3 Si p-i-n二极管的缺陷 | 第23-25页 |
| 2．4 P~+（SiGe）-n~--n~+开关功率二极管 | 第25-28页 |
| 第三章 模拟器及模型选取 | 第28-45页 |
| 3．1 器件模拟的基本概念 | 第28-29页 |
| 3．2 器件模拟的基本原理 | 第29-31页 |
| 3．3 MEDICI及其基本功能 | 第31-33页 |
| 3．4 模型选取及具体模型参数 | 第33-45页 |
| 第四章 模拟结果及分析 | 第45-58页 |
| 4．1 正向特性模拟结果与分析 | 第45-49页 |
| 4．2 反向特性模拟结果与分析 | 第49-51页 |
| 4．3 正向开通特性模拟结果与分析 | 第51-52页 |
| 4．4 反向恢复特性模拟结果与分析 | 第52-55页 |
| 4．5 温度对P~+（SiGe）-n~--n~+二极管静态特性的影响 | 第55-58页 |
| 第五章 优化设计 | 第58-67页 |
| 5．1 SiGe层厚度的优化设计 | 第58-60页 |
| 5．2 SiGe层中Ge含量的优化设计 | 第60-63页 |
| 5．3 n~-区厚度的优化设计 | 第63-67页 |
| 第六章 模拟结果验证及结论 | 第67-71页 |
| 6．1 模拟结果验证 | 第67页 |
| 6．2 结论及展望 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |